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当前位置: 首页 > 专利交易 > 中国科学技术大学吴长征老师一件发明专利完成成果转化

中国科学技术大学吴长征老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年12月05日 来源:龙图腾

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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2019-10-18发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2019104899762,技术领域属于C01B19/04(20060101);该专利一种二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用是由中国科学技术大学设计研发完成,并于2019-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明提供了一种二维高导电率氢化NbSe2纳米片的制备方法,包括:将层状NbSe2块材浸入锂源溶液反应,得到前驱物LixNbSe2;将LixNbSe2分散在去离子水中,通惰性气体保护,超声剥离得到分散的超薄二维高导电率氢化HxNbSe2纳米片。本发明选用高导电性层状NbSe2金属材料,利用Li离子进行插层扩大了NbSe2层间距,便于剥离成为超薄纳米片;又充分利用了水中H离子置换Li离子,实现电子注入,进一步提高纳米片载流子浓度和导电率,从而得到了高导电率的氢化NbSe2纳米片并可以进一步组装得到薄膜。本发明方法简单,产率高,结构保存完好,组装成二维薄膜便于转移,导电性高,循环稳定性良好。

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