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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜沈阳建筑大学时方晓老师一件发明专利完成成果转化

恭喜沈阳建筑大学时方晓老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2022年12月08日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜沈阳建筑大学申请的专利一种电场控制在单晶硅基片表面制备纳米结构的方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2014-04-23发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2013107516810,技术领域属于H01L21/02(2006.01)I;该专利一种电场控制在单晶硅基片表面制备纳米结构的方法是由沈阳建筑大学设计研发完成,并于2013-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

一种电场控制在单晶硅基片表面制备纳米结构的方法,属于纳米材料技术领域,按以下步骤进行:(1)选用n型Si(111)硅圆晶片,切割制成长方形的单晶硅基片;(2)固定于分子束外延室的真空室样品台上;在真空条件下加热清洁其表面;(3)向表面沉积Au原子,获得具有不同重构的表面结构;(4)将In沉积到单晶硅基片中心,获得矩形薄膜片层;(5)施加直流电场驱动电迁移,控制电迁移扩散,获得准二维金属纳米结构。本发明通过预先沉积在硅表面的异质金属膜层将在电场作用下发生定向的迁移扩散,扩散的结果是原始膜层均匀展宽而表面形貌不被破坏,有效地消除某些结构缺陷,如使薄膜表面普遍存在的三维岛状结构趋于平整化,实现原子级表面加工。

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