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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜电子科技大学任敏老师一件发明专利完成成果转化

恭喜电子科技大学任敏老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2023年03月21日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种深槽DMOS器件成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2017-11-03发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2017107164415,技术领域属于H01L29/78(2006.01)I;该专利一种深槽DMOS器件是由电子科技大学设计研发完成,并于2017-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明提供了一种深槽DMOS器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明包括自上而下设置的金属化源极、漂移区、衬底、金属化漏极;其中漂移区中具有深槽及位于其两侧或者外围的体区,深槽中包括栅电极、栅介质层和应变绝缘介质区,应变绝缘介质区的下表面与衬底上表面相接触。本发明通过在深槽结构中引入具有压缩特性或者拉伸特性的应变绝缘介质区,为多子电流流动通路所在半导体材料施加应力进而提高载流子的迁移率,实现降低导通电阻的目的;同时,应变绝缘介质区掺杂有电荷可与漂移区形成横向电场,辅助耗尽漂移区,实现提高器件的反向耐压的目的。

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