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恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所王朋老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2023年08月07日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2016-08-03发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2016101533712,技术领域属于H01L21/02(2006.01)I;该专利一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法是由中国科学院上海微系统与信息技术研究所设计研发完成,并于2016-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法,其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF,使应变在两个界面处得到释放,解决了GaAs与Si之间晶格失配。所述Si衬底为向[110]晶向斜切5°。制备方法特征在于首先在Si衬底上生长AlSb/Si IMF阵列,然后生长GaSb缓冲层,然后在GaSb缓冲层上生长GaAs/GaSb IFM阵列,从而完成从Si衬底向GaAs材料层的过渡,获得Si基GaAs复合衬底。本发明解决了Si衬底与GaAs外延层的晶格失配,不失为为Si基Ⅲ‑Ⅴ材料光电耦合提供了一种可行性方案,为Ⅲ‑Ⅴ族材料集成技术的发展提供了重要的实施途径。

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