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恭喜浙江大学盛况老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2023年08月11日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-08-24发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2021105155691,技术领域属于H01L29/06(20060101);该专利一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法是由浙江大学设计研发完成,并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种带有斜坡的半导体器件终端结构及其制造方法,结构包括:由半导体经过干法刻蚀后形成的斜坡结构,位于半导体器件有源区的外围,长度大于100微米结构,高度小于10微米。还包括沟槽结构及填充介质,或者还包括注入结构或场板结构或其中任意组合。沟槽结构由半导体经干法刻蚀后形成,位于斜坡结构的外围;填充介质是位于沟槽结构中的填充材料;注入结构通过在半导体上进行离子注入形成,被注入区域中含有斜坡结构的表面;场板结构是通过在半导体表面引入导体形成,导体与半导体间可含有钝化层,导体覆盖区域含有斜坡结构的表面。本发明在实现同样耐压等级下消耗更小的芯片面积,可在碳化硅等难以湿法腐蚀、离子注入后难以热扩散的材料中广泛应用。

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