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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜西安微电子技术研究所何亨洋老师一件发明专利完成成果转化

恭喜西安微电子技术研究所何亨洋老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2023年10月14日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜西安微电子技术研究所申请的专利一种TSV背面露孔结构及制备方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2022-01-28发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2021112671100,技术领域属于H01L23/48(20060101);该专利一种TSV背面露孔结构及制备方法是由西安微电子技术研究所设计研发完成,并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明公开了一种TSV背面露孔结构及制备方法,属于微电子技术领域。基片的上表面开设有TSV盲孔,基片的下表面开设有第二通孔,第二通孔位于TSV盲孔的正下方,且与TSV盲孔共轴线,TSV盲孔的底部与第二通孔顶部连通。该结构通过正背面TSV孔的互连实现TSV的正背面导通,使基片具有正背面电互连的通道,满足2.5D或3D集成的技术需求。同时提高了TSV在基片内部的长度,可保留更多的基片衬底,使基片具备更高的机械强度。通过本发明的TSV背面露孔制备方法,将省去行业内常用的CMP工艺,显著降低工艺成本,并降低技术门槛,该方法解决了TSV背面露孔成本高、工艺复杂、晶圆内均匀性差等问题。

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法律声明:当前页面专利信息仅供研究,该信息不具备任何法律效应。实际以国家专利局为准。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,欢迎咨询龙图腾网官方客服,联系电话0551-65771310 或微信搜索“龙图腾网”。

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