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恭喜长春理工大学魏志鹏老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2024年04月18日 来源:龙图腾

龙图腾网恭喜长春理工大学申请的专利一种窄线宽半导体激光器成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2018-05-18发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:201810000258X,技术领域属于H01S5/34(2006.01)I;该专利一种窄线宽半导体激光器是由长春理工大学设计研发完成,并于2018-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明公开了一种2μm窄线宽锑化物半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种2μm锑化物半导体激光器结构,这种激光器结构制备在GaSb衬底上,由衬底往上依次为N型GaSb缓冲层、N型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92下限制层、N型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98下波导层、In0.15Ga0.85As0.02Sb0.98/Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98激光器有源区、P型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98上波导层、P型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92上限制层、P型GaSb盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备SiNx掩膜,利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元,采用电子束光刻在脊形波导两侧制作二阶光栅结构。通过在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元、在脊波导两侧制备二阶光栅结构,实现有效压窄激光线宽,提高激光器频率稳定性。

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法律声明:当前页面专利信息仅供研究,该信息不具备任何法律效应。实际以国家专利局为准。

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