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当前位置: 首页 > 专利交易 > 恭喜电子科技大学孔谋夫老师一件发明专利完成成果转化

恭喜电子科技大学孔谋夫老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2024年05月17日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结MOSFET功率器件成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-10-01发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2021106762121,技术领域属于H01L29/78(20060101);该专利隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结MOSFET功率器件是由电子科技大学设计研发完成,并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明属于半导体功率器件技术领域,具体提供一种隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结M OSFET功率器件,具有新的导通机制:在隧穿机制的辅助下改变硅/碳化硅异质结界面处的能带分布,使其不仅在栅氧化层下方产生导电沟道,而且使得硅/碳化硅异质结发生带带隧穿,两者共同完成MOSFET功率器件的导通;同时,在结构的上半部分采用Si材料,提高了沟道载流子迁移率,降低比导通电阻,在结构的下半部分采用SiC材料,保持了SiC结构高耐压的优点;在硅/碳化硅交界面处形成异质结;当该结构工作在反向状态时,异质结导通,实现器件自身的反向恢复特性;而且由于其本身存在势垒,不存在少数载流子注入SiC漂移区,避免了SiC器件的双极性退化效应。

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法律声明:当前页面专利信息仅供研究,该信息不具备任何法律效应。实际以国家专利局为准。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,欢迎咨询龙图腾网官方客服,联系电话0551-65771310 或微信搜索“龙图腾网”。

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