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恭喜广东省大湾区集成电路与系统应用研究院苏炳熏老师一件发明专利完成成果转化

发表时间:2024年11月18日 来源:龙图腾

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龙图腾网恭喜广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利半导体器件及其制作方法成功实施成果转化。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2021-11-02发布的专利公告中获悉:该专利的专利申请号/专利号为:2021108758578,技术领域属于H01L27/092(20060101);该专利半导体器件及其制作方法是由广东省大湾区集成电路与系统应用研究院设计研发完成,并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法,所述半导体器件包括:半导体衬底;设置在所述半导体衬底内的N型阱区;设置在所述N型阱区背离所述半导体衬底表面内的P型阱区;所述P型阱区背离所述N型阱区的一侧具有多个器件模块,所述器件模块包括至少一个MOS单元;相邻所述器件模块之间具有深沟槽隔离结构;同一所述器件模块中,如果具有多个MOS单元,相邻所述MOS单元之间具有浅沟槽隔离结构;其中,所述深沟槽隔离结构的底部位于所述N型阱区内,所述浅沟槽隔离结构的底部位于所述P型阱区内。本发明通过设置双沟槽隔离结构,在减小区域面积的同时,可以增加设计弹性,使电路设计更加灵活,并且可以降低成本,提高器件性能,降低功耗。

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法律声明:当前页面专利信息仅供研究,该信息不具备任何法律效应。实际以国家专利局为准。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,欢迎咨询龙图腾网官方客服,联系电话0551-65771310 或微信搜索“龙图腾网”。

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