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【发明授权】最小化场阑IGBT的缓冲区及发射极电荷差异的方法_万国半导体股份有限公司_201110156814.0 

申请/专利权人:万国半导体股份有限公司

申请日:2011-05-30

公开(公告)日:2014-08-06

公开(公告)号:CN102347355B

主分类号:H01L29/739(2006.01)I

分类号:H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I

优先权:["2010.07.30 US 12/804,838"]

专利状态码:有效-专利权的转移

法律状态:2018.03.23#专利权的转移;2016.09.28#专利权的转移;2016.09.28#专利权的转移;2014.08.06#授权;2012.03.21#实质审查的生效;2012.02.08#公开

摘要:本发明提出了一种在半导体衬底中形成的绝缘栅双极晶体管IGBT。该IGBT含有一个第一导电类型的缓冲层,在第一导电类型的外延层下方形成,具有本体和源极区。该IGBT还包括一个在缓冲层下方的轻掺杂的衬底层,以及一个第二导电类型的掺杂层,沉积在轻掺杂的衬底层下方以及所述的IGBT的漏极电极上方,贴装到所述的半导体衬底的底面上,其中第二导电类型的掺杂层的掺杂浓度高于轻掺杂的衬底层。

主权项:一种用于制备垂直场阑绝缘栅双极晶体管的方法,其特征在于,包括:在轻掺杂的半导体衬底上方,生长一个第一导电类型的第一外延层;在第一外延层上方,生长一个第一导电类型的第二外延层;并且退火并处理该半导体,将第一外延层作为绝缘栅双极晶体管的缓冲层,可以精确地控制缓冲层的电荷量;在第二外延层的顶部进行处理工艺,以制备一个第二导电类型的本体区,包围着第一导电类型的源极区;从底面开始背部研磨轻掺杂的半导体衬底,将衬底研磨至可控的背部厚度,其中背部研磨不能触及第一外延层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 万国半导体股份有限公司 最小化场阑IGBT的缓冲区及发射极电荷差异的方法

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