申请/专利权人：深圳第三代半导体研究院

申请日：2019-01-31

公开（公告）日：2019-11-19

公开（公告）号：CN209658223U

主分类号：H01L33/24(20100101)

分类号：H01L33/24(20100101);H01L33/36(20100101);H01L33/64(20100101);H01L33/46(20100101);H01L33/06(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2019.11.19#授权

摘要：本实用新型涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。本实用新型提供一种正装集成单元发光二极管，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构，所述二极管台面结构包括多个二极管单元，所述多个二极管单元呈几何形状排列。本实用新型解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。

主权项：1.一种正装集成单元发光二极管，其特征在于，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构，所述二极管台面结构包括多个二极管单元，所述多个二极管单元呈几何形状排列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳第三代半导体研究院 一种正装集成单元发光二极管

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