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【发明公布】有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物_诺瓦尔德股份有限公司_201880013739.2 

申请/专利权人:诺瓦尔德股份有限公司

申请日:2018-02-20

公开(公告)日:2019-11-29

公开(公告)号:CN110521015A

主分类号:H01L51/54(20060101)

分类号:H01L51/54(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权:["20170220 EP 17156902.3","20170220 EP 17156904.9","20170220 EP 17156906.4"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.11.04#授权;2020.03.10#实质审查的生效;2019.11.29#公开

摘要:本发明涉及一种显示器件、用于制备所述显示器件的方法和用于其中的化学化合物,所述显示器件包含:‑含有至少两个OLED像素的多个OLED像素,所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层叠层,其中所述有机层叠层‑布置在所述阴极与阳极之间并与所述阴极和阳极接触,并且‑包含第一电子传输层、第一空穴传输层和设置在所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层,和‑驱动电路,其被配置成分别地驱动所述多个OLED像素的像素,其中对于所述多个OLED像素来说,所述第一空穴传输层设置在所述有机层叠层中作为由所述多个OLED像素共用的共同空穴传输层,并且所述第一空穴传输层包含:i至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物,和ii至少一种p型电掺杂剂,所述p型电掺杂剂选自金属盐以及选自包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子配体和或至少一个阴离子的电中性金属络合物,其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自:碱金属;碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd;处于氧化态II或III的稀土金属;Al、Ga、In;和选自处于氧化态IV或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W。

主权项:1.一种显示器件,其包含:-含有至少两个OLED像素的多个OLED像素,所述OLED像素包含阳极、阴极和有机层叠层,其中所述有机层叠层-布置在所述阴极与阳极之间并与所述阴极和阳极接触,并且-包含第一电子传输层、第一空穴传输层和设置在所述第一空穴传输层与所述第一电子传输层之间的第一发光层,和-驱动电路,所述驱动电路被配置成分别地驱动所述多个OLED像素的像素,其中对于所述多个OLED像素来说,所述第一空穴传输层设置在所述有机层叠层中作为由所述多个OLED像素共用的共同空穴传输层,并且所述第一空穴传输层包含:i至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物,和ii至少一种p型电掺杂剂,所述p型电掺杂剂选自金属盐以及选自电中性金属络合物,所述电中性金属络合物包含金属阳离子和由至少4个共价结合的原子构成的至少一个阴离子配体和或至少一个阴离子,其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自碱金属;碱土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd;处于氧化态II或III的稀土金属;Al、Ga、In;和选自处于氧化态IV或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 诺瓦尔德股份有限公司 有源OLED显示器、制备有源OLED显示器的方法和化合物

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