申请/专利权人:株式会社迪思科
申请日:2019-05-15
公开(公告)日:2019-11-29
公开(公告)号:CN110517987A
主分类号:H01L21/78(20060101)
分类号:H01L21/78(20060101);H01L21/683(20060101);H01L21/67(20060101)
优先权:["20180521 JP 2018-096889"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.05.14#实质审查的生效;2019.11.29#公开
摘要:提供晶片的加工方法,即使在基板的上表面上形成有非粘接性树脂层的情况下,也能够粘贴保护带。该晶片的加工方法将在基板10的上表面上包覆有非粘接性树脂层16并且通过分割预定线12划分出多个器件14的晶片W分割成各个器件14,其中,该晶片的加工方法至少包含如下的工序:非粘接性破坏工序,对非粘接性树脂层16的正面照射紫外线UV而将正面的非粘接性破坏;保护带粘贴工序,在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层16的正面上粘贴保护带30;以及分割工序,将切削刀具43定位于晶片W的分割预定线12,一边提供切削水WT一边对分割预定线12进行切削而将晶片W分割成各个器件14。
主权项:1.一种晶片的加工方法,将在基板的上表面上包覆有非粘接性树脂层并且通过分割预定线划分出多个器件的晶片分割成各个器件,其中,该晶片的加工方法至少包含如下的工序:非粘接性破坏工序,对非粘接性树脂层的正面照射紫外线,将正面的非粘接性破坏;保护带粘贴工序,在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层的正面上粘贴保护带;以及分割工序,将切削刀具定位于晶片的分割预定线,一边提供切削水一边对分割预定线进行切削而将晶片分割成各个器件。
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