申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2019-05-16

公开（公告）日：2019-11-29

公开（公告）号：CN110517946A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：["20180521 JP 2018-097208"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.23#授权;2019.12.24#实质审查的生效;2019.11.29#公开

摘要：得到能够防止成品率降低和器件不良的SiC衬底的制造方法。对SiC衬底1进行CMP处理。在CMP处理后对SiC衬底1的表面的图像进行拍摄而对刮痕进行检测。在图像中对比度值大于或等于阈值的刮痕成为外延缺陷的起点。将SiC衬底1的直径设为D，将在SiC衬底1之上形成的器件芯片的长边的长度设为A，将能够允许的由刮痕引起的器件不良率设为F，在具有大于或等于阈值的对比度值的刮痕的长度L小于或等于πD22A×F100的情况下将所述SiC衬底1判定为合格品。

主权项：1.一种SiC衬底的制造方法，其特征在于，具备如下工序：对SiC衬底进行CMP处理；在所述CMP处理后对所述SiC衬底的表面的图像进行拍摄而对刮痕进行检测；在所述图像中对比度值大于或等于阈值的刮痕成为外延缺陷的起点，将所述SiC衬底的直径设为D，将在所述SiC衬底之上形成的器件芯片的长边的长度设为A，将能够允许的由刮痕引起的器件不良率设为F，在具有大于或等于所述阈值的对比度值的所述刮痕的长度L小于或等于πD22A×F100的情况下将所述SiC衬底判定为合格品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 SiC衬底的制造方法

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