申请/专利权人:上海华力微电子有限公司
申请日:2019-08-29
公开(公告)日:2019-11-29
公开(公告)号:CN110517984A
主分类号:H01L21/762(20060101)
分类号:H01L21/762(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2022.05.27#发明专利申请公布后的驳回;2019.12.24#实质审查的生效;2019.11.29#公开
摘要:本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法,包括:提供一半导体基底,所述半导体基底内形成有沟槽;涂覆聚硅氮烷对所述沟槽进行填充;对所述半导体基底在水汽环境中进行递进式升温处理,使得所述聚硅氮烷转化为二氧化硅。本发明具有提高聚硅氮烷的转化率,减小浅沟槽隔离结构中产生孔洞缺陷的机率的优点。
主权项:1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法,其特征在于,包括:提供一半导体基底,所述半导体基底内形成有沟槽;涂覆聚硅氮烷对所述沟槽进行填充;对所述半导体基底在水汽环境中进行递进式升温处理,使得所述聚硅氮烷转化为二氧化硅。
全文数据:
权利要求:
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