申请/专利权人：德淮半导体有限公司

申请日：2019-09-02

公开（公告）日：2019-11-29

公开（公告）号：CN110518028A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101);H01L23/48(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2021.11.19#发明专利申请公布后的视为撤回;2019.12.24#实质审查的生效;2019.11.29#公开

摘要：本公开涉及基板制造方法、基板接合方法和半导体装置。一种基板制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成图案化的第一介质层，第一介质层包括第一开口和与第一开口相邻的第二开口；在第一介质层上形成材料层，材料层包括金属材料，材料层覆盖第一介质层并填充第一开口和第二开口；对材料层进行第一平坦化处理，以去除在第一介质层的上表面上的材料层，并形成在第一开口中的初始金属接合盘和在第二开口中的初始金属伪结构；对于初始金属接合盘和初始金属伪结构进行第二平坦化处理，以形成第一金属接合盘，第一金属接合盘具有凸部。所述基板可以是半导体晶片或半导体基板。

主权项：1.一种基板制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成图案化的第一介质层，所述第一介质层包括第一开口和与第一开口相邻的第二开口；在所述第一介质层上形成材料层，所述材料层包括金属材料，所述材料层覆盖所述第一介质层并填充所述第一开口和第二开口；对所述材料层进行第一平坦化处理，以去除所述材料层在所述第一介质层的上表面上的部分，并形成在所述第一开口中的初始金属接合盘和在所述第二开口中的初始金属伪结构；对于所述初始金属接合盘和所述初始金属伪结构进行第二平坦化处理，以形成第一金属接合盘，所述第一金属接合盘具有凸部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德淮半导体有限公司 基板制造方法、基板接合方法和半导体装置

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