申请/专利权人：厦门乾照光电股份有限公司

申请日：2018-11-13

公开（公告）日：2019-11-29

公开（公告）号：CN209709011U

主分类号：H01L33/38(20100101)

分类号：H01L33/38(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/62(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2019.11.29#授权

摘要：本实用新型公开了一LED发光芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的至少一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层的所述P型连接针通道后被电连接于所述透明导电层，在一列所述N型电极连接针中，至少一个所述N型电极连接针与两个相邻所述N型电极连接针的间距不同，在一列所述P型电极连接针中，至少一个所述P型电极连接针与两个相邻所述P型电极连接针的间距不同，通过这样的方式，所述LED发光芯片的电流能够被均匀地分布。

主权项：1.一LED发光芯片，其特征在于，包括：一外延单元，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层；一透明导电层，其层叠于所述P型半导体层，其中所述透明导电层具有延伸至所述N型半导体层的一第一通道和延伸至所述P型半导体层的一第二通道；一绝缘层，其层叠于所述透明导电层和经所述透明导电层的所述第一通道延伸至所述N型半导体层以及经所述透明导电层的所述第二通道延伸至所述P型半导体层，其中所述绝缘层具有一N型焊盘通道、至少一列所述N型连接针通道、一P型焊盘通道以及至少一列P型连接针通道，其中所述N型焊盘通道和每个所述N型连接针通道分别延伸至所述N型半导体层，所述P型焊盘通道延伸至所述P型半导体层，每个所述P型连接针通道分别延伸至所述透明导电层，其中一列所述N型连接针通道中的至少一个所述N型连接针通道与两个相邻所述N型连接针通道之间的间距不同，一列所述P型连接针通道中的至少一个所述P型连接针通道与两个相邻所述P型连接针通道之间的间距不同；以及一电极组，其包括分别层叠于所述绝缘层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极经所述绝缘层的所述N型焊盘通道和每个所述N型连接针通道分别被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极经所述绝缘层的所述P型焊盘通道被电连接于所述P型半导体层和经所述绝缘层的每个所述P型连接针通道被电连接于所述透明导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门乾照光电股份有限公司 LED发光芯片

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