申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2019-09-06
公开(公告)日:2019-12-03
公开(公告)号:CN110534427A
主分类号:H01L21/3065(20060101)
分类号:H01L21/3065(20060101);H01L27/11517(20170101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.11.12#授权;2019.12.27#实质审查的生效;2019.12.03#公开
摘要:本发明提供了一种刻蚀方法,包括:第一步骤:初始化;第二步骤:根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式,并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率;第三步骤:获取刻蚀机台的实时刻蚀速率;第四步骤:比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小;第五步骤:若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率,调用第一暖机工艺程式并返回执行第三步骤;若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率,调用第二暖机工艺程式并返回执行第三步骤;若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率,调用所述刻蚀工艺程式。通过比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小,刻蚀机台对应执行不同的工序,实现了刻蚀机台的实时刻蚀速率的主动干预和动态调整。
主权项:1.一种刻蚀方法,其特征在于,包括:第一步骤:初始化刻蚀机台的刻蚀参数;第二步骤:根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式,并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率,其中,所述工艺程式包括:刻蚀工艺程式、第一暖机工艺程式及第二暖机工艺程式;第三步骤:获取刻蚀机台的实时刻蚀速率;第四步骤:比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小;第五步骤:若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率,调用第一暖机工艺程式以执行第一暖机工艺,并返回执行第三步骤;若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率,调用第二暖机工艺程式以执行第二暖机工艺,并返回执行第三步骤;若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率,调用所述刻蚀工艺程式以执行刻蚀工艺。
全文数据:
权利要求:
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