申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2014-10-13

公开（公告）日：2019-12-17

公开（公告）号：CN105573048B

主分类号：G03F1/36(20120101)

分类号：G03F1/36(20120101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2019.12.17#授权;2016.06.08#实质审查的生效;2016.05.11#公开

摘要：本发明提供了一种光学临近修正模型OPC的优化方法，包括：步骤S1：收集光学临近修正模型中晶圆版图的模拟数据和实际生产中实际晶圆版图的测量数据；步骤S2：根据所述步骤S1中的所述模拟数据和测量数据，利用公式I计算所述模型中不同节距的关键尺寸和所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的均方根值RMS，以对光学临近修正模型进行评价和优化，其中，所述Wi为所述节距的关键尺寸的权重，CDi模拟为所述模型中不同节距的关键尺寸的模拟值，所述CDi测量为所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的测量值，所述MEEFi为所述节距的掩膜误差增强因子。本发明的优点在于能确保OPC最终结果更加合理，具有更高的准确性。

主权项：1.一种光学临近修正模型的优化方法，包括：步骤S1：收集光学临近修正模型中晶圆版图的模拟数据和实际生产中物理晶圆版图的测量数据；步骤S2：根据所述步骤S1中的所述模拟数据和测量数据，利用公式I计算所述模型中不同节距的关键尺寸和所述物理晶圆版图中所述节距的关键尺寸的均方根值RMS，以对所述光学临近修正模型进行评价和优化， 其中，所述Wi为所述节距的关键尺寸的权重，CDi模拟为所述模型中不同节距的关键尺寸的模拟值，所述CDi测量为所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的测量值，所述MEEFi为所述节距的掩膜误差增强因子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光学临近修正模型的优化方法

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