申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2019-02-14

公开（公告）日：2020-01-07

公开（公告）号：CN110660663A

主分类号：H01L21/311(20060101)

分类号：H01L21/311(20060101);H01J37/32(20060101)

优先权：["20180628 JP 2018-122658"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.16#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：在氧化膜的各向同性干式蚀刻中兼顾异物污染产生和蚀刻量的高精度控制。通过处理对象的表面重整工序和膜除去的工序对氧化膜进行蚀刻，处理对象的表面重整工序将包含第一步骤、第二步骤和第三步骤的多个步骤作为步骤集合重复多次，第一步骤将包含氟化氢的气体导入到处理室对氧化膜的表面提供氟化氢，第二步骤将处理室内部真空排气除去氟化氢，第三步骤将包含氮化氢的气体导入到处理室内对氧化膜的表面提供氮化氢，在该膜层的表面形成包含氮、氢和氟的化合物的层，膜除去的工序将形成于处理对象的膜层的表面的化合物的层除去。通过防止氟化氢气体与氮化氢气体混合，能抑制异物污染产生，并能通过氟化氢气体、氮化氢气体照射的重复次数控制蚀刻量。

主权项：1.一种蚀刻处理方法，对配置于真空容器内部的处理室内且由包含硅的构件构成的处理对象的膜层进行蚀刻处理，其特征在于，具备：膜形成的工序，其将第1步骤、第2步骤和第3步骤作为1组步骤集合，并将所述步骤集合重复进行多次，其中，在所述第1步骤中，将至少包含氟化氢的气体导入到所述处理室内来对所述处理对象的膜层的表面提供氟化氢分子，在所述第2步骤中，将所述处理室内部排气来除去所述包含氟化氢的气体，在所述第3步骤中，对所述处理对象的膜层的表面提供氮化氢分子来在所述膜层的表面形成包含氮、氢和氟的化合物的层；和膜除去的工序，在所述膜形成的工序后，将形成于所述处理对象的膜层的表面的所述化合物的层除去。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置

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