【发明公布】一种端面耦合器及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_201911135471.2 

申请/专利权人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请日:2019-11-19

发明/设计人:孙思维;刘丰满;曹立强

公开(公告)日:2020-01-07

代理机构:北京三聚阳光知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN110658586A

代理人:李静

主分类号:G02B6/122(20060101)

地址:214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋

分类号:G02B6/122(20060101);G02B6/132(20060101);G02B6/14(20060101);G02B6/24(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.01.07#公开

摘要:本发明涉及光电器件领域,具体涉及一种端面耦合器,包括SOI衬底,包括硅衬底以及设置于硅衬底上的埋氧层;氧化硅层,设置在埋氧层与硅衬底相对的一侧;第一波导,其位于端面耦合器的拟耦合波传入的一侧,用于将拟耦合波限定在预定大小的模场内;硅基光波导,位于端面耦合器拟耦合波传出的一侧;以及,第二波导,其用于将被第一波导限定在预定模场内的拟耦合波耦合至硅基光波导内;其中,第一波导、第二波导和硅基光波导均位于氧化硅层内部。本发明提供的端面耦合器具有与光纤耦合效率高、带宽大、工艺难度及成本较低的优点。

主权项:1.一种端面耦合器,其特征在于,包括:SOI衬底1,包括硅衬底11以及设置于所述硅衬底11上的埋氧层12;氧化硅层2,设置在所述埋氧层12与所述硅衬底11相对的一侧;第一波导3,其位于所述端面耦合器的拟耦合波传入的一侧,用于将所述拟耦合波限定在预定大小的模场内;硅基光波导4,位于所述端面耦合器拟耦合波传出的一侧;以及,第二波导5,其用于将被所述第一波导3限定在预定模场内的拟耦合波耦合至所述硅基光波导4内;其中,所述第一波导3、第二波导5和硅基光波导4均位于所述氧化硅层2内部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种端面耦合器及其制备方法

vip会员权益升级
价格优惠/年费监控/专利管家/定制微网站 关闭