申请/专利权人：国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社

申请日：2015-04-15

公开（公告）日：2020-01-07

公开（公告）号：CN106233436B

主分类号：H01L21/3065(20060101)

分类号：H01L21/3065(20060101)

优先权：["20140502 US 14/268,098"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.01.07#授权;2017.01.11#实质审查的生效;2016.12.14#公开

摘要：可以通过运行采用C5HF7的沉积工艺，或通过运行采用C5H2F6和SF6的交替的沉积和蚀刻工艺，来实现用于进行硅蚀刻工艺以及玻什法的蚀刻腔的预处理。已经发现，在预处理之后的第一各自工艺期间，对用于硅蚀刻工艺的蚀刻腔的预处理可以在对蚀刻轮廓没有副作用的情况下，将硅的蚀刻速率提高至少50％，同时蚀刻速率的提高系数随时间减小。通过在蚀刻腔中周期性地进行预处理，可以在对被处理的基板的蚀刻轮廓没有不利影响的情况下，提高蚀刻腔的吞吐量。

主权项：1.一种操作蚀刻工艺装置的方法，包括：在蚀刻工艺装置中进行预处理工艺，所述预处理工艺包含通过沉积氢氟烃聚合物材料涂覆所述蚀刻工艺装置的内壁，所述氢氟烃聚合物材料由为C5H2F6的氢氟烃气体的等离子体产生且所述沉积的持续时间为40分钟，或者所述氢氟烃聚合物材料由为C5HF7的氢氟烃气体的等离子体产生且所述沉积的持续时间为5分钟，并且其中所述氢氟烃聚合物材料的涂层形成在所述蚀刻工艺装置的所述内壁上；以及在所述蚀刻工艺装置中，在至少一个基板上进行至少一个硅蚀刻工艺，所述至少一个基板中的每一个包含图案化的掩模层，通过其物理地暴露至少一个半导体材料部分，其中所述至少一个硅蚀刻工艺采用SF6作为蚀刻剂，其中所述蚀刻工艺装置的所述内壁的所述预处理工艺将所述至少一个硅蚀刻的工艺蚀刻速率提高正的百分比，在所述预处理工艺之后进行的第一硅蚀刻工艺期间，与参比硅蚀刻工艺相比，所述正的百分比是至少50％，所述参比硅蚀刻工艺与所述第一硅蚀刻工艺采用相同的工艺条件，并且在未经任何预处理的蚀刻工艺装置中进行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社 通过蚀刻腔预处理来提高硅蚀刻工艺的蚀刻速率的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD