申请/专利权人：合肥晶合集成电路有限公司

申请日：2018-07-03

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110676162A

主分类号：H01L21/285(20060101)

分类号：H01L21/285(20060101);H01L29/45(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.02#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本发明提供了一种金属硅化物层的形成方法、半导体器件及其形成方法。通过在金属层和衬底之间形成缓冲材料层，从而在热退火工艺的过程中，可使金属层中的金属粒子能够在缓冲材料层的缓冲作用下穿过缓冲材料层，并扩散到衬底中，有利于减小金属粒子在衬底中的扩散速度和扩散深度，进而能够减缓金属和衬底中的硅的反应速度。如此一来，即能够有效降低所形成的金属硅化物发生聚集的风险，从而可避免在衬底中引发大量的针孔缺陷，并可改善所形成的金属硅化物层的界面粗糙度。

主权项：1.一种金属硅化物层的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底的材质包括硅；依次形成一缓冲材料层和一金属层在所述衬底上，所述金属层间隔所述缓冲材料层覆盖所述衬底；以及执行热退火工艺，使所述金属层中的金属粒子穿过所述缓冲材料层并扩散至所述衬底中，以和所述衬底中的硅反应，用于生成金属硅化物层，并且所述缓冲材料层中的至少部分缓冲材料穿过所述金属层，以迁移至所述金属硅化物层的上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路有限公司 金属硅化物层的形成方法、半导体器件及其形成方法

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