申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2018-04-19

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110678986A

主分类号：H01L29/66(20060101)

分类号：H01L29/66(20060101)

优先权：["20170517 US 15/597,662"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.28#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：实施例涉及用于具有嵌入式底部金属触点的垂直场效应晶体管VFET的方法和所得结构。在衬底的掺杂区域上形成半导体鳍片。使与半导体鳍片相邻的掺杂区域的一部分凹陷，并且在凹陷部分上形成嵌入式触点。选择导电轨道的材料使得嵌入式触点的导电率高于掺杂区域的导电率。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底的掺杂区域上形成半导体鳍片；使一部分所述掺杂区域凹陷；以及在所述掺杂区域的凹陷部分上形成嵌入式触点；其中所述嵌入式触点的导电率高于所述掺杂区域的导电率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 垂直晶体管自对准触点工艺形成的嵌入式底部金属触点

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