申请/专利权人:应用材料公司
申请日:2018-05-24
公开(公告)日:2020-01-10
公开(公告)号:CN110678959A
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101);H01L21/321(20060101);C23C16/44(20060101);H01L21/67(20060101)
优先权:["20170525 US 15/605,751"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.07.25#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开
摘要:涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统,包括:在腔室中支撑工件,将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力;并且当腔室中的压力是至少5个大气压时,将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。
主权项:1.一种处理在工件上的包括硅氮键的电介质膜的方法,包含:在腔室中支撑所述工件,所述工件具有包括硅氮键的所述电介质膜;将胺气引入所述腔室中;在所述腔室中建立至少5个大气压的压力;和当在所述腔室中的所述压力是至少5个大气压时,将所述工件上的所述电介质膜暴露于所述胺气。
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