申请/专利权人:浜松光子学株式会社
申请日:2018-04-10
公开(公告)日:2020-01-10
公开(公告)号:CN110678955A
主分类号:H01J43/24(20060101)
分类号:H01J43/24(20060101)
优先权:["20170630 JP 2017-129433"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.03.01#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开
摘要:本实施方式涉及具有用于在更广的温度范围抑制电阻值变动且使该电阻值变动稳定的构造的电子倍增体。该电子倍增体中,由在与该基板的通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层来构成被基板和二次电子放出层夹着的电阻层,由此该电阻层实现以下范围内的温度特性:相对于温度20℃的电阻值,‑60℃的电阻值为10倍以下且+60℃的电阻值为0.25倍以上。
主权项:1.一种电子倍增体,其特征在于,包括:具有通道形成面的基板;二次电子放出层,其具有面对所述通道形成面的底面和与所述底面相对且响应带电粒子的入射而放出二次电子的二次电子放出面;和电阻层,其由所述基板和所述二次电子放出层夹着,并且包含在与所述通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层,所述电阻层具有以下范围内的温度特性:相对于温度20℃的该电阻层的电阻值,-60℃的该电阻层的电阻值为10倍以下且+60℃的该电阻层的电阻值为0.25倍以上。
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