申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2019-06-26
公开(公告)日:2020-01-10
公开(公告)号:CN110676255A
主分类号:H01L27/108(20060101)
分类号:H01L27/108(20060101);H01L49/02(20060101);H01L21/8242(20060101)
优先权:["20180702 KR 10-2018-0076426"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.01.19#授权;2020.02.14#实质审查的生效;2020.01.10#公开
摘要:半导体存储器件包括:下电极,每个下电极围绕内部空间;位于下电极的顶表面上的上支撑层,上支撑层位于由下电极围绕的内部空间中;在上支撑层上的上电极,上电极填充第一区域和第二区域,第二区域穿透上支撑层,并且第一区域从第二区域延伸到下电极之间。每个下电极包括:与第二区域垂直交叠的第一部分,第一部分的顶表面由上支撑层暴露;由上支撑层覆盖的第二部分,第二部分的顶表面与上支撑层接触。
主权项:1.一种半导体存储器件,包括:下电极,所述下电极中的每个下电极围绕内部空间;在所述下电极的顶表面上的上支撑层,所述上支撑层位于由所述下电极围绕的所述内部空间中;和在所述上支撑层上的上电极,所述上电极填充第一区域和第二区域,所述第二区域穿透所述上支撑层,并且所述第一区域从所述第二区域延伸到所述下电极之间,其中每个所述下电极包括:与所述第二区域垂直交叠的第一部分,所述第一部分的顶表面由所述上支撑层暴露,和由所述上支撑层覆盖的第二部分,所述第二部分的顶表面与所述上支撑层接触。
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