申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-07-02

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110676151A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L21/762(20060101);H01L29/04(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：["20180702 US 16/024,962"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2021.12.10#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.01.10#公开

摘要：本申请案的实施例涉及一种包括具有小粒度的陷阱丰富层的绝缘体上覆半导体SOI衬底及其形成方法。在一些实施例中，非晶硅层沉积于高电阻率衬底上。执行快速热退火RTA以使所述非晶硅层结晶为多晶硅的陷阱丰富层，其中大多数晶粒是等轴的。绝缘层形成于所述陷阱丰富层上方。装置层形成于所述绝缘层上方，且包括半导体材料。等轴晶粒小于其它晶粒例如，柱状晶粒。由于所述陷阱丰富层中的大多数晶粒是等轴的，所以所述陷阱丰富层具有高晶界面积及高密度的载流子陷阱。所述高密度的载流子陷阱可例如减小寄生表面传导PSC的效应。

主权项：1.一种用于形成绝缘体上覆半导体SOI衬底的方法，所述方法包括：在高电阻率衬底上沉积非晶硅层；执行快速热退火RTA以使所述非晶硅层结晶为多晶硅的陷阱丰富层，其中大多数晶粒是等轴的；在所述陷阱丰富层上方形成绝缘层；及在所述绝缘层上方形成装置层，其中所述装置层包括半导体材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 包括具有小粒度的陷阱丰富层的绝缘体上覆半导体(SOI)衬底及其形成方法

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