申请/专利权人：河北同光晶体有限公司

申请日：2019-09-23

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110670123A

主分类号：C30B23/00(20060101)

分类号：C30B23/00(20060101);C30B29/36(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.03.26#授权;2020.04.17#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本发明公开了一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过选择具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为下次生长的籽晶，可以有效地避免生长初期出现的多核生长现象，经过多次延续单一生长中心后，碳化硅单晶中的成对反向螺位错会发生聚并湮灭，从而可以降低单晶中的内部缺陷密度。通过本发明方法，能够获得质量越来越好的低缺陷密度碳化硅晶体。本发明制备的碳化硅单晶可以更好地应用在航天、航空、航母等国防军工领域，也可广泛地应用在工业自动化、新能源汽车、家电、5G通讯等民用领域。

主权项：1.一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法，其特征在于：包括以下步骤：1选择含有单一生长中心的碳化硅单晶，将所述含有单一生长中心的碳化硅单晶的生长前沿切割下来作为晶片，将所述含有单一生长中心的碳化硅单晶的生长前沿保护起来，对切割面进行研磨和抛光处理，对抛光完成的晶片进行清洗和封装，备用；2取步骤1的具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为籽晶，通过粘合剂使籽晶的切割面与石墨坩埚盖贴合在一起，将贴合有籽晶的石墨坩埚盖扣在石墨坩埚筒上，所述石墨坩埚筒内装有高纯碳化硅粉料，组装成石墨坩埚整体；3将组装好的石墨坩埚整体放入加热炉中，密封加热炉腔，对加热炉腔进行抽真空处理，进行预加热；4在加热炉腔内通入氩气，继续升温，保温，完成碳化硅单晶生长；5停止通入氩气，停止加热，冷却至室温，得到碳化硅单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河北同光晶体有限公司 一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法

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