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【发明公布】可控束斑离子发射装置及抛光蚀刻方法_中国科学院地质与地球物理研究所_201910966463.6 

申请/专利权人:中国科学院地质与地球物理研究所

申请日:2019-10-12

公开(公告)日:2020-01-10

公开(公告)号:CN110676148A

主分类号:H01J37/21(20060101)

分类号:H01J37/21(20060101);H01J37/08(20060101);H01J37/305(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.07.28#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要:本发明提供一种可控束斑离子发射装置及抛光蚀刻方法,该可控束斑离子发射装置包括均为圆桶且同轴设置的气体电离装置、离子加速电极、束斑调节装置以及离子发射装置固定容器,其中束斑调节装置上设置有至少两个聚焦电极,气体电离装置、离子加速电极、聚焦电极皆独立与不同的高压直流电源相连,离子束从气体电离装置引出,经离子加速电极加速后,通过给束斑调节装置聚焦电极设置不同电压,能够调节束斑直径,改变离子束的聚散状态,使得离子抛光装置能够对样品抛光蚀刻的区域灵活调整,使得离子束聚焦于需要曝光蚀刻的区域,而无需对样品的其他区域进行抛光蚀刻,从而提高抛光蚀刻的效率;同时,避免破坏样品上无需抛光蚀刻的区域。

主权项:1.一种可控束斑离子发射装置,其特征在于,包括:均为圆桶且同轴设置的气体电离装置1、离子加速电极2、束斑调节装置3、以及离子发射装置固定容器4;其中,所述气体电离装置1的中心轴、所述离子加速电极2的中心轴、所述束斑调节装置3的中心轴以及所述离子发射装置固定容器4的中心轴重合并形成离子束通道;所述气体电离装置1的顶部与所述离子加速电极2的底部连接,所述气体电离装置1的外径与所述离子加速电极2的内径相同,所述气体电离装置1设置在所述离子加速电极2内部;所述离子加速电极2的顶部与所述束斑调节装置3的底部连接;所述束斑调节装置3的顶部与所述离子发射装置固定容器4连接,所述束斑调节装置3上设置有至少两个聚焦电极,所述至少两个聚焦电极为直径等于所述离子发射装置固定容器4内径的金属圆板,所述金属圆板内径为所述中心轴直径,所述至少两个聚焦电极中相邻的两个聚焦电极之间设置有绝缘环;所述至少两个聚焦电极中靠近所述离子加速电极2的聚焦电极与所述离子加速电极2之间设置有绝缘环;所述离子发射装置固定容器4用于容纳所述离子加速电极2和所述束斑调节装置3;所述气体电离装置1、所述离子加速电极2、所述束斑调节装置3和所述离子发射装置固定容器4的中心轴形成离子束通道;所述气体电离装置1、所述离子加速电极2、所述束斑调节装置3上的聚焦电极分别与不同的高压直流电源连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院地质与地球物理研究所 可控束斑离子发射装置及抛光蚀刻方法

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