申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-12-03

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110676216A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L23/532(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.02.08#发明专利申请公布后的驳回;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本申请实施例公开了一种互连结构的形成方法及互连结构，其中，所述方法包括：提供一开口的衬底，其中，所述开口用于暴露所述衬底内的具有金属的导电层；利用第一等离子气体对所述开口进行处理，得到所述金属的化合物；在处理后的开口上形成互连结构，其中，在形成所述互连结构的过程中，所述金属的化合物被还原成所述金属。

主权项：1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供一开口的衬底，其中，所述开口用于暴露所述衬底内的具有金属的导电层；利用包括氮气的第一等离子气体对所述开口进行处理，得到所述金属的氮化物；在处理后的开口上形成互连结构，其中，在形成所述互连结构的过程中，所述金属的氮化物被还原成所述金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种互连结构及其形成方法

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