申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-12-03

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110676260A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/1159(20170101);H01L27/11597(20170101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2021.01.01#发明专利申请公布后的驳回;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本申请实施例公开了一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，方法包括：提供一待处理的第一半导体结构，所述第一半导体结构具有在叠层结构内形成的沟道通孔，其中，所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；在所述沟道通孔内形成负电容材料层；在所述负电容材料层的表面形成存储功能层和沟道层，在所述叠层结构内形成栅极层，以形成所述三维存储器。

主权项：1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一待处理的第一半导体结构，所述第一半导体结构具有在叠层结构内形成的沟道通孔，其中，所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；在所述沟道通孔内形成负电容材料层；在所述负电容材料层的表面形成存储功能层；在所述存储功能层的表面形成沟道层；刻蚀掉所述牺牲层形成所述刻蚀孔，在所述刻蚀孔内形成栅极层，以形成所述三维存储器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种三维存储器的形成方法及三维存储器

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