申请/专利权人：艾普凌科有限公司

申请日：2014-12-09

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN104700897B

主分类号：G11C16/26(20060101)

分类号：G11C16/26(20060101)

优先权：["20131209 JP 2013-254350"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2023.12.29#未缴年费专利权终止;2018.04.20#著录事项变更;2016.07.20#实质审查的生效;2016.03.30#专利申请权、专利权的转移;2015.06.10#公开

摘要：本发明题为数据读出装置及半导体装置。本发明提供能够防止非易失性存储元件的数据读出中的误写入的数据读出装置。本发明的数据读出装置包括：伪读出电路，具备写入电压比数据读出电路的非易失性存储元件低的非易失性存储元件；以及状态检测电路，检测伪读出电路的非易失性存储元件的写入状态，构成为在数据读出中检测到伪读出电路的非易失性存储元件被误写入时，立即结束数据读出动作。

主权项：1.一种数据读出装置，其特征在于，包括：数据读出部，具备任意个数的包含第一非易失性存储元件的数据读出电路；伪读出电路，具备第二非易失性存储元件，该第二非易失性存储元件构成为比所述第一非易失性存储元件更容易被写入；以及状态检测电路，检测所述第二非易失性存储元件的写入状态，在所述第一非易失性存储元件的数据读出中，当所述状态检测电路检测到所述第二非易失性存储元件的写入状态时，停止所述第一非易失性存储元件的数据读出动作，从而防止所述第一非易失性存储元件的误写入，加在所述第二非易失性存储元件的源极－漏极间的电压更大于加在所述第一非易失性存储元件的源极－漏极间的电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾普凌科有限公司 数据读出装置及半导体装置

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