申请/专利权人：东芝存储器株式会社

申请日：2016-03-11

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN106251901B

主分类号：G11C16/10(20060101)

分类号：G11C16/10(20060101);G11C16/26(20060101);G11C16/04(20060101)

优先权：["20150612 JP 2015-119512"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.01.10#授权;2017.08.25#专利申请权、专利权的转移;2017.01.18#实质审查的生效;2016.12.21#公开

摘要：本发明的实施方式提供一种动作速度得到提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：存储单元阵列；读出放大器，与所述存储单元阵列连接；第1数据锁存器，与输入输出电路连接；第2数据锁存器，与所述输入输出电路连接；数据总线，连接于所述读出放大器、所述第1数据锁存器及所述第2数据锁存器；以及第3数据锁存器，连接于所述数据总线，且配置在所述读出放大器与所述第1数据锁存器或所述第2数据锁存器之间。

主权项：1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：存储单元阵列；读出放大器，与所述存储单元阵列连接；第1数据锁存器，与输入输出电路连接；第2数据锁存器，与所述输入输出电路连接；数据总线，连接于所述读出放大器、所述第1数据锁存器及所述第2数据锁存器；以及第3数据锁存器，连接于所述数据总线，且配置在所述读出放大器与所述第1数据锁存器或所述第2数据锁存器之间；所述第1至第3数据锁存器分别包含i个列；识别指定2×i个列中至少一个的信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东芝存储器株式会社 半导体存储装置

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