申请/专利权人：H.C.施塔克公司;帕特里克·霍根;约翰·摩尔;亚历克斯·布鲁尔;杰瑞德·佩蒂特

申请日：2015-03-03

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN106170869B

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101)

优先权：["20140307 US 61/949,641"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.01.10#授权;2017.04.05#实质审查的生效;2016.11.30#公开

摘要：在各种实施例中，利用特征在于i盐酸、甲基磺酸、和硝酸的混合物，或ii磷酸、甲基磺酸、和硝酸的混合物的蚀刻剂来蚀刻金属双层，同时最小化双层的层之间的所产生的蚀刻间断。

主权项：1.一种形成薄膜晶体管的电极的方法，所述方法包括：提供包括硅或玻璃中至少之一的基层；在所述基层上沉积屏障层，所述屏障层包括一种或多种难熔金属或者一种或多种难熔金属与一种或多种另外的金属组分的合金；在所述屏障层上沉积导体层，所述导体层包括Cu、Ag、Au或Al中至少之一；在所述屏障层上形成掩模层；图案化所述掩模层以露出所述导体层的一部分，所述掩模层的剩余部分至少部分地限定所述电极的形状；此后，施加蚀刻剂以移除所述导体层和所述屏障层的未被图案化的掩模层掩蔽的部分，由此形成所述电极的侧壁，所述侧壁包括a所述屏障层的暴露部分，b所述导体层的暴露部分，以及c所述屏障层的暴露部分与所述导体层的暴露部分之间的交界，其中，所述蚀刻剂包括i按重量5％-15％的盐酸、20％-40％的甲基磺酸、7％-10％的硝酸以及余量为水的混合物，或ii按重量40％-75％的磷酸、5％-30％的甲基磺酸、2％-5％的硝酸以及余量为水的混合物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： H.C.施塔克公司;帕特里克·霍根;约翰·摩尔;亚历克斯·布鲁尔;杰瑞德·佩蒂特 用于电子装置中的金属化的蚀刻化学成份

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