申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2015-05-12

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN106507684B

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：["20140616 EP 14172626.5","20140725 EP 14178554.3","20141218 EP 14198779.2"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.01.10#授权;2017.04.12#实质审查的生效;2017.03.15#公开

摘要：一种光刻设备包括：衬底台、曝光后处理模块、衬底处理机器人及干燥站。所述衬底台被配置成支撑衬底用于曝光过程。所述曝光后处理模块是用于在曝光后处理所述衬底。所述衬底处理机器人被配置成将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理模块中。所述干燥站被配置成从所述衬底的表面主动地移除液体。所述干燥站定位于所述衬底卸载路径中。所述干燥站定位于所述曝光后处理模组中。所述曝光后处理模块可以是晶片处理器。

主权项：1.一种光刻设备，其包括：曝光模块，曝光模块包括衬底台，所述衬底台被配置成用以支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底经由液体曝光至辐射光束以形成图案，曝光后处理模块，所述曝光后处理模块用于在曝光后处理所述衬底，所述曝光后处理模块通过界面连接曝光模块并且包括储存单元，所述储存单元被配置成将多个衬底储存于所述储存单元的相应衬底容纳单元中；衬底处理机器人，所述衬底处理机器人配置成用以将所述衬底从曝光模块的所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理模块内；以及干燥站，所述干燥站被配置成从所述衬底的表面主动地移除液体；其中所述干燥站定位于所述储存单元中。

全文数据：光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法[0001] 相关申请的交叉引用[0002] 本申请主张2014年6月16日提交的欧洲申请14172626.5，和2014年7月25日提交的欧洲申请14178554.3，以及2014年12月18日提交的欧洲申请14198779.2的权益，其通过援引而全文合并到本文中。技术领域[0003] 本发明涉及一种光刻设备、一种转移衬底的方法及一种器件制造方法。背景技术[0004] 光刻设备是将所需图案施加至衬底上通常施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可例如用于集成电路IC的制造中。[0005] 在浸没式光刻中，液体例如，水可在曝光工艺之后遗留于衬底上的抗蚀剂上。液体可造成抗蚀剂发生劣化。抗蚀剂的劣化能够引起残留有液体的缺陷。[0006]需要减少由残留液体造成的缺陷，而不会不利地影响光刻设备的生产率。发明内容[0007] 根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括:衬底台，被配置成支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底曝光至辐射光束以经由液体而形成图案;曝光后处理模块，用于在曝光后处理所述衬底;衬底处理机器人，被配置成将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理模块内；以及干燥站，被配置成从所述衬底的表面主动地移除液体;其中所述干燥站定位于所述衬底卸载路径中并且定位于所述曝光后处理模块中，使得所述衬底能够在沿着所述衬底卸载路径转移期间完全地通过所述干燥站。[0008] 根据本发明的一方面，提供一种在光刻设备中转移衬底的方法，所述方法包括:在衬底台上支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底曝光至辐射光束以经由液体而形成图案;将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至曝光后处理模块内以用于在曝光后处理所述衬底;和干燥站从所述衬底的表面主动地移除液体;其中在所述衬底卸载路径中及在所述曝光后处理模块中执行液体的所述主动移除，使得所述衬底在沿着所述衬底卸载路径的转移期间完全地通过所述干燥站。附图说明[0009] 现在将参看所附的示意图而仅作为实例来描述本发明的实施例，在所述图中，对应附图标记指示对应部件，且在所述图中:[0010]图1描绘根据本发明的实施例的光刻设备；[0011]图2描绘根据本发明的实施例的光刻设备的部件；[0012]图3描绘根据本发明的实施例的光刻设备的部件；[0013]图4和图5描绘根据本发明的实施例的光刻设备的部件；[0014]图6至图8示意性地描绘根据本发明的实施例的光刻设备；[0015]图9至图14描绘根据本发明的实施例的光刻设备的部件;和[0016]图15及图16各自描绘根据本发明的实施例的干燥站。具体实施方式[0017]图1示意性地描绘根据本发明的实施例的光刻设备100。光刻设备100包括:照射系统照射器IL，其被配置成调节辐射光束B例如，UV辐射或任何其它合适辐射；掩膜支撑结构例如，掩膜台MT，其被构造成用以支撑图案化装置例如，掩膜MA，且连接到被配置成用以根据某些参数而准确地定位图案化装置MA的第一定位装置PM。光刻设备100也包括衬底台例如，晶片台WT，其被构造成用以保持衬底例如，抗蚀剂涂覆的晶片W，且连接到被配置成根据某些参数而准确地定位衬底W的第二定位装置PW。光刻设备100进一步包括投影系统例如，折射式投影透镜系统PS，其被配置成用以将由图案化装置MA赋予至辐射光束B的图案投影至衬底W的目标部分C例如，包括一个或更多个管芯上。[0018] 照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。[0019] 掩膜支撑结构MT支撑S卩，承载图案化装置MA的重量。掩膜支撑结构MT以取决于图案化装置MA的定向、光刻设备100的设计及其它条件诸如，以图案化装置MA是否被保持于真空环境中为例的方式来保持图案化装置MA。掩膜支撑结构MT可使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案化装置。掩膜支撑结构MT可以是例如框架或台，其可根据需要而固定或可移动。掩膜支撑结构MT可确保图案化装置MA例如相对于投影系统PS处于所需位置。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。[0020] 这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射光束B的横截面上赋予辐射光束、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射光束B的图案可能不与衬底W的目标部分C上的所需图案精确地对应例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征。辅助特征可置放于图案化装置MA上以使能够图案化隔离型和或半隔离型设计特征，就好象这些隔离型和或半隔离型设计特征比其实际情况更密集。通常，被赋予至辐射光束B的图案将对应于目标部分C中产生的装置诸如，集成电路中的特定功能。[0021]图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是熟知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射光束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射光束。[0022] 这里使用的术语“投影系统”可以广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。[0023] 所述照射系统IL可以包括被配置用于调整所述辐射光束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射系统IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和或内部径向范围一般分别称为σ_外部和σ-内部进行调整。此外，所述照射系统IL可以包括各种其它部件，例如整合器IN和聚光器CN。可以将所述照射系统IL用于调节所述辐射光束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。照射系统IL可被或可不被认为形成光刻设备100的部件。举例而言，照射系统IL可以是光刻设备100的整体部件，或可以是与光刻设备100分离的实体。在后者状况下，光刻设备100可被配置成允许照射系统IL安装于其上。视情况，照射系统IL为可拆卸式，且可被分离地提供例如，由光刻设备制造商或另一供货商提供。[0024]如此处所描绘，光刻设备100是透射型的例如，使用透射掩模。替代地，光刻设备100可以是反射型例如，使用如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射掩膜。[0025] 光刻设备100可以是具有两个双台或更多衬底台和或两个或更多的掩模台的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT和或掩膜支撑结构MT，或可以在一个或更多个衬底台WT和或掩膜支撑结构MT上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT和或掩膜支撑结构MT用于曝光。[0026]图案化装置MA被保持在掩膜支撑结构MT上。所述辐射光束B入射到所述图案化装置MA上。辐射光束B是由所述图案化装置MA图案化。在从图案化装置MA反射之后，辐射光束B通过投影系统PS。投影系统PS将辐射光束B聚焦至衬底W的目标部分C上。第一定位器PM及第一位置传感器例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器可用来相对于辐射光束B的路径来准确地定位图案化装置ΜΑ。图1中未明确地示出第一位置传感器。借助于第二定位器PW及第二位置传感器PS2例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器，可准确地移动衬底台WT，例如，以便使不同目标部分C定位于辐射光束B的路径中。[0027] 一般而言，可借助于形成第一定位装置PM的部件的长行程模块粗定位及短行程模块精定位来实现掩膜支撑结构MT的移动。类似地，可使用形成第二定位器PW的部件的长行程模块及短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进机的情况下与扫描器相反，掩膜支撑结构MT可仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可使用掩膜对准标记Μ1、Μ2来对准图案化装置MA。可使用衬底对准标记P1、Ρ2来对准衬底W。尽管如所说明的衬底对准标记Ρ1、Ρ2占据专用目标部分C，但它们可被定位于目标部分C之间这些对准标记被称为划线对齐标记。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案化装置MA上的情形中，掩模对准标记Μ1、M2可定位于所述管芯之间。[0028] 浸没技术可用来增加投影系统PS的数值孔径NA。如图1所描绘，在一实施例中，光刻设备100是如下类型:其中衬底W的至少一部分可由具有相对高折射率的液体例如，水覆盖，以便填充介于投影系统PS与衬底W之间的空间。浸没液也可施加至光刻设备100中的其它空间，例如，在图案化装置MA与投影系统PS之间。如本发明中所使用的术语”浸没”并非意思是诸如衬底W的结构必须被浸没于液体中，而是仅意指液体在曝光期间被定位于投影系统PS与衬底W之间。[0029] 参看图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。例如，当源模块SO为准分子激光器时，源模块SO与光刻设备100可以是分立的实体。在这些情况下，源模块SO不被被认为形成所述光刻设备100的部件，且辐射是借助于光束传递系统BD而从源模块SO传递至照射系统IL。在一实施例中，光束传递系统BD包括例如合适的定向反射镜和或扩束器。在其它状况下，例如，当源模块SO是汞灯时，源模块SO可以是光刻设备100的组成部分。可以将所述源模块SO和所述照射系统IL、以及如果需要时设置的所述光束传递系统BD—起称作辐射系统。[0030]可将用于在投影系统PS的最终元件与衬底W之间提供液体的布置分类成三种一般类别。这些类别是浴类型配置、所谓局部化浸没系统和全湿润浸没系统。在浴类型配置中，衬底W的实质上全部以及视情况衬底台WT的部分被浸没在液体浴器中。[0031]如图1所描绘，液体供应系统具备液体限制结构m，液体限制结构IH沿着介于投影系统PS的最终元件与衬底W、衬底台WT或此二者之间的空间的边界的至少一部分延伸。图2中图示这样的布置。图2所图示且下文所描述的布置可应用于上文所描述且图1所图示的光刻设备。[0032]图2示意性地描绘了具有液体限制结构IH的局部化液体供应系统或处理流体处理系统，液体限制结构IH沿着介于投影系统PS的最终元件与衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。请注意，在下文中称作的衬底W的表面也补充地或替代地是指衬底台WT的表面，除非另有明确叙述。在一实施例中，密封件被形成于液体限制结构IH与衬底W的表面之间。密封件可以是诸如气体密封件16的无接触密封件欧洲专利申请公开号EP-A-1，420，298中披露了具有气体密封件的这样的系统或液体密封件。[0033] 液体限制结构IH在投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中至少部分地包含液体。空间11是由定位于投影系统PS的最终元件下方且围绕投影系统PS的最终元件的液体限制结构IH至少部分地形成。利用液体入口出口13而使液体达到在投影系统PS下方且在液体限制结构IH内的空间11内。可利用液体入口出口13而移除液体。在一实施例中，取决于扫描方向，两个液体入口出口13之一供应液体，而另一液体入口出口13移除液体。[0034] 可利用气体密封件16而在空间11中包含液体。在使用期间，气体密封件16被形成于液体限制结构IH的底部与衬底W的表面之间。气体密封件16中的气体在压力下经由入口15而提供至介于液体限制结构IH与衬底W之间的间隙。经由出口14而抽取气体。气体入口15上的过压，出口14上的真空程度，及间隙的几何形状被布置成使得向内存在有限制液体的高速气体流。气体作用在介于液体限制结构IH与衬底W之间的液体的力使在空间11中包含液体。美国专利申请公开号US2004-0207824中披露了这样的系统，所述文献的全文通过援引而并入。在一实施例中，液体限制结构IH不具有气体密封件。[0035] 在局部化区域液体供应系统中，衬底W在投影系统PS及所述液体供应系统下移动。当将使衬底W的边缘成像时，衬底W或其它目标物的边缘将在空间11下通过。当将要使衬底台WT上或可测量台上的传感器成像时，衬底W或其它目标物的边缘将在空间11下通过。虚设衬底dummysubstrate或所谓封闭板可被定位于液体供应系统下以使得能够例如进行衬底调换。当将要移动衬底台WT从而使得虚设衬底或所谓封闭板可定位于液体供应系统下时，衬底W或其它目标物的边缘将在空间11下通过。液体可泄漏至介于衬底W与衬底台WT之间的间隙内。可在流体静压力或流体动压力下或在气刀或其它气体流产生装置的力下压迫此液体。[0036]图3是描绘根据一实施例的另外液体供应系统或处理流体处理系统的侧视横截面图。图3中所图示且下文所描述的布置可应用于上文所描述且图1所图示的光刻设备100。液体供应系统具备液体限制结构IH，液体限制结构IH沿着介于投影系统PS的最终元件与衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。请注意，在下文中称作的衬底W的表面也补充地或替代地是指衬底台WT的表面，除非另有明确叙述。[0037] 液体限制结构IH在投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中至少部分地包含液体。空间11由定位于投影系统PS的最终元件下方且围绕投影系统PS的最终元件的液体限制结构IH至少部分地形成。在一实施例中，液体限制结构IH包括主体构件53及多孔构件83。多孔构件83是板状且具有多个孔S卩，开口或孔隙。在一实施例中，多孔构件83是筛网板，其中众多小孔84被形成为呈筛网。这样的系统在美国专利申请公开号US20100045949A1中披露，其全文通过援引而并入。[0038] 主体构件53包括:供应孔口72，其能够将液体供应至空间11;及回收孔口73，其能够从空间11回收液体。供应孔口72经由通道74连接至液体供应设备75。液体供应设备75能够将液体供应至供应孔口72。从液体供应设备75馈送的液体通过对应通道74供应至供应孔口72中的每一个。供应孔口72被设置于光学路径附近面对光学路径的主体构件53的规定位置处。回收孔口73能够从空间11回收液体。回收孔口73经由通道79而连接至液体回收设备80。液体回收设备80包括真空系统且能够通过经由回收孔口73通过抽吸液体而回收液体。液体回收设备80通过通道29而回收经由回收孔口23回收的液体LQ。多孔构件83被安置于回收孔口73中。[0039] 在一实施例中，为了形成在投影系统PS与液体限制结构IH在一侧及衬底W在另一侧之间具有液体的空间11，液体被从供应孔口72供应至空间11且液体限制结构IH中的回收腔室81中的压力被调整为负压，以便经由多孔构件83的孔84S卩，回收孔口73而回收液体。执行使用供应孔口72的液体供应操作和使用多孔构件83的液体回收操作在介于投影系统PS与液体限制结构IH-方面及衬底W另一方面之间形成空间11。[0040] 在光刻设备100的使用中，衬底W经历不同光刻步骤及工艺步骤。可例如利用湿式化学处理而清洁衬底W。可将衬底W加热至足以驱散可存在于衬底W表面上的任何湿气的温度。可利用抗蚀剂例如，光阻剂光致抗蚀剂层来覆盖衬底W。可预烘烤所述衬底W以驱散过量光阻溶剂。接着曝光衬底W，使得将辐射光束B中的图案被转移至衬底W上。衬底W可接着经历抗蚀剂的显影、蚀刻及移除。可针对衬底W上的另外的层重复这些步骤。[0041]如图1所描绘，在一实施例中，光刻设备100包括衬底台WT。衬底台WT被配置成支撑衬底W用于曝光过程。在曝光过程中，衬底W经由液体S卩，浸没液被曝光至辐射光束B以在衬底W上形成图案。在一实施例中，提供一种在光刻设备100中转移衬底W的方法。所述方法包括在衬底台WT上支撑所述衬底W用于曝光过程。在曝光过程中，辐射光束B中的图案被转移至衬底W上。[0042]-些液体例如，水在曝光工艺之后遗留在衬底W上的抗蚀剂上。液体可造成抗蚀剂劣化。抗蚀剂的劣化可引起残留有液体的缺陷。可在每个衬底W上形成多个层。即使在单一层中发生缺陷的可能性几率小，但如果层的数目大，则发生缺陷的总的机率仍可是显著的。[0043] 在一实施例中，光刻设备100包括曝光后处理模块94图6所图示。曝光后处理模块用于在曝光后处理衬底W。在曝光工艺之后，由曝光后处理模块94处理衬底W。例如，在一实施例中，曝光后处理模块94包括至少一个衬底处理装置传感器51其也可被称为晶片处理器传感器。所述至少一个衬底处理装置传感器51被配置成用以测量与衬底处理机器人41相关联的参数例如，保持器43的部位、保持器43的倾角。在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51被安装于传感器框架SF图1所描绘上。传感器框架SF可被称为量测框架。替代地，在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51安装于光刻设备100的基座框架BF图1所描绘上。在一实施例中，液体限制结构IH被附接至传感器框架SF。在一实施例中，投影系统PS被附接至传感器框架SF。在一实施例中，衬底台WT被附接至基座框架BF。在一实施例中，传感器框架SF与基座框架BF动态地隔离。在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51用以在衬底交换期间检查衬底处理机器人41的保持器43的部位和倾角是否在固定的公差许度内。[0044] 在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51包括一个或更多个例如，两个光学传感器。所述光学传感器被配置成测量保持器43围绕Y轴的倾角。在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51包括一个或更多个例如，三个其它传感器。在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51的其它传感器是电容性的。至少一个衬底处理装置传感器51的其它传感器被配置成用以测量保持器43在XY平面中的位置。[0Μ5]在一实施例中，光刻设备100包括两个衬底处理机器人41。在一实施例中，光刻设备100包括与每一衬底处理机器人41相关联的两个衬底处理装置传感器51。每个衬底处理机器人41具有关联的一对衬底处理装置传感器51。[0046]图4示意性地描绘出根据一实施例的光刻设备1 O的部件。在一实施例中，光刻设备100包括衬底处理机器人41。衬底处理机器人41被配置成用以将衬底W从衬底台WT沿着衬底卸载路径转移至曝光后处理模块94中。在一实施例中，转移衬底W的方法包括将衬底W从衬底台WT沿着衬底卸载路径转移至曝光后处理模块94中以用于在曝光后处理衬底W。[0047] 如图4所描绘，在一实施例中，衬底处理机器人41包括机器人臂42或衬底处理臂。在一实施例中，衬底处理机器人41包括定位器部件44图6所描绘及保持器43。定位器部件44与保持器43通过界面连接。举例而言，定位器部件44可经由机器人臂42而与保持器43通过界面连接。在一实施例中，机器人臂42由定位器部件44的致动器驱动，并且用以在衬底台WT与曝光后处理模块94中的卸载对接件之间转移衬底W。[0048] 在一实施例中，保持器43包括在基本上水平的平面中间隔开的一对叉形物prong。在一实施例中，所述叉形物中的每一者的上部表面或其部分可具备一种具有利用激光烧结而形成的突节的区域。突节的使用使得能够使用真空及静电夹持技术并且防止微粒扭曲所述衬底W。[0049] 在一实施例中，光刻设备100包括干燥站90。干燥站90被配置成用以从衬底W的表面46主动地移除液体。例如，浸没液的液滴50可存在于衬底W的表面46处。干燥站90被配置成用以从衬底W的表面46主动地移除液滴50。干燥站90被配置成用以从衬底W的表面46主动地移除液体膜。[°05°]在一实施例中，干燥站90定位于衬底卸载路径中。具体地，干燥站90定位于衬底卸载路径中，使得衬底W可在沿着衬底卸载路径的转移期间完全地通过干燥站90。可在衬底卸载路径中干燥所述衬底W。本发明的实施例被预期为实现衬底W的干燥而不使衬底W偏离介于衬底台WT与曝光后处理模块94之间的衬底卸载路径。[0051] 通过设置所述衬底W可在沿着衬底卸载路径的转移期间完全地通过干燥站90，则没有必要为特定部位例如，保持台提供干燥。假定所述衬底W可完全地通过干燥站90意思是指在衬底卸载路径中存在超出干燥站90的足够空间以配合衬底W。不是如下情况:衬底W在干燥站90之下部分地通过，其中衬底W与干燥站90之间的后续相对运动例如，衬底W的旋转允许干燥所述衬底W的表面46ο替代地，衬底W完全地通过干燥站90，使得在沿着衬底卸载路径转移所述衬底W的过程期间干燥所述衬底W。[0052] 在一实施例中，干燥站90被定位于曝光后处理模块94中。衬底卸载路径从衬底台WT的边缘延伸至曝光后处理模块94内的部位。衬底卸载路径的部分在曝光后处理模块94内。在一实施例中，干燥站90定位在曝光后处理模块94内的衬底卸载路径的部分中。在衬底卸载路径中及在曝光后处理模块94中执行液体的主动移除。[0053] 在一实施例中，曝光后处理模块94是衬底处理装置其也可被称为晶片处理器。干燥站90的类型并不具体地受限制。通过设置干燥站90位于衬底处理装置中，可以想到本发明的实施例实现提高曝光的衬底W的生产率。在一实施例中，干燥站90被配置成以便例如通过定位于衬底处理装置中而维持生产率。[0054] 干燥站90可被称为晶片干燥器。在一实施例中，干燥站90在衬底处理装置中位于衬底W离开衬底台WT例如，晶片台处附近。在一实施例中，干燥站90刚好在衬底处理装置内部，位于衬底W离开衬底台WT处附近。[0055] 在一实施例中，干燥站90包括气刀91、水浴及连续液体流中的一个或更多个。图4描绘一种包括气刀91的干燥站90。[0056]图5描绘包括连续液体流其可被称为水线的干燥站90。如图5所描绘，在一实施例中，干燥站90包括流动供应开口92及流动抽取开口93。流动供应开口92被配置成将液体流例如，7jO供应至介于干燥站90与衬底W的表而46之间的空间。流动抽取开口93被配置成从介于干燥站90与衬底W的表面46之间的空间抽取液体，例如水。[0057] 流动供应开口92及流动抽取开口93被配置成用以将连续的液体流提供至介于干燥站90与衬底W的表面46之间的空间。连续液体流可被称为水线或水浴。与衬底W的表面46接触的液体流大于液滴50ο当液体流与液滴50接触时，液滴50变为液体流的部分。利用表面张力，从衬底W的表面46主动地移除液滴50。[0058] 在一实施例中，干燥站90包括从衬底W的表面46仅抽取液体的液体提取器其可被称为单相提取器O替代地，在一实施例中，干燥站90包括从衬底W的表面46抽取液体及气体两者的两相提取器。[0059] 当干燥站90包括液体浴器时，可由与如上文所描述的液体限制结构IH的布置相似的布置提供液体浴器。在使用中，将液体诸如，水供应至衬底W，使得介于衬底W与干燥站90的液体提取器之间的间隙被填充有水。在干燥过程期间继续提供水以确保介于衬底W与液体提取器之间的间隙始终被填充有水。填充间隙的水可被称为水浴。待从衬底移除的液体及由干燥站90供应的水变为液体的单一体S卩，水浴。液体提取器从介于衬底W与干燥站90之间的间隙抽取水。水浴允许液体提取器抽取厚度不足够厚以依靠本身跨越介于衬底W与液体提取器之间的间隙的液体。即使待从衬底W的表面46移除的液体的厚度不足够高以到达液体提取器，水浴的使用仍帮助确保介于衬底W与液体提取器之间的间隙被填充。[0060] 在一实施例中，干燥站90包括从衬底W的表面46移除液体的气刀。[0061] 在一实施例中，干燥站包括被配置成用以加热衬底W的表面46的加热器。衬底W的表面46上的液体被加热并且从衬底W的表面46蒸发。[0062] 在一实施例中，干燥站90具有干燥站臂及旋转器的形式。干燥站臂被配置成用以从衬底W的表面46主动地移除液体。旋转器被配置成用以使干燥站臂旋转通过与衬底W的表面46平行的旋转平面。图11及图13中示出且下文进一步详细地描述干燥站臂及旋转器。[0063] 在一实施例中，光刻设备100包括被配置成使衬底W旋转的衬底转台120，如图11所示出。在一实施例中，干燥站90具有干燥站臂的形式，干燥站臂遍及衬底转台120的半径而延伸，使得干燥站臂被配置成用以当衬底W在衬底转台120上旋转时从衬底W的表面46主动地移除液体。[0064] 在一实施例中，衬底卸载路径基本上平直。通过将衬底卸载路径设置为基本上平直，衬底处理机器人41沿着衬底卸载路径的直线移动引起衬底W通过干燥站90。干燥站90从衬底W的表面主动地移除液体。衬底W可从衬底台WT直接地移动至衬底处理模块94中。可在直接移动期间干燥衬底W。向干燥站90移动衬底W或干燥站90移动离开衬底W并不浪费时间。当沿着衬底卸载路径以直线转移衬底W时，衬底W通过干燥站90，使得干燥站90从衬底W的表面46主动地移除液体。可以预期本发明的实施例实现增加的生产率。[0065] 然而，没有必要使衬底卸载路径大体上或基本上平直。在一实施例中，衬底卸载路径是弯曲的。通过将衬底卸载路径设置为弯曲的，光刻设备100内的其它组件的布局受到较少限定。[0066] 如上文所提及且如图6所描绘，在一实施例中，衬底处理机器人41包括定位器部件44及与定位器部件44结合的保持器43。保持器43被配置成用以保持衬底W。在一实施例中，保持器43包括被配置成用以夹紧衬底W的夹持器。例如，夹持器可夹紧衬底W的边缘。在一替代实施例中，保持器43包括被配置成用以夹持衬底W的夹持件。例如，夹持件可从下方夹持衬底W。夹持件可包括真空吸盘或可以是静电夹具。定位器部件44可被称为衬底处理机器人41的腕部。定位器部件44被配置成用以在机器人卸载位置与机器人处理位置之间移动。在机器人卸载位置中，保持器43将衬底W保持于衬底台WT上。在机器人处理位置中，保持器43将衬底W保持于曝光后处理模块94中。在图4及图5中，定位器部件44图4或图5中未示出位于机器人卸载位置与机器人处理位置之间的部位处。.[0067] 在衬底W的曝光之后，定位器部件44位于机器人卸载位置处且保持器43保持衬底W。从衬底台WT移除衬底W。定位器部件44从机器人卸载位置移动至机器人处理位置。在一实施例中，定位器部件44沿着衬底卸载路径移动。在一实施例中，机器人处理位置在曝光后处理模块94内。[0068] 衬底台WT的边缘位于衬底卸载路径的上游端处。衬底卸载路径的下游端在曝光后处理模块94内。在一实施例中，干燥站90在衬底卸载路径中定位于机器人卸载位置上游。定位器部件44不移动经过干燥站90。当定位器部件44移动朝向衬底台WT时，定位器部件44不到达干燥站90。通过将定位器部件44设置为不到达干燥站90，干燥站90在定位器部件44的移动范围外部。干燥站90不妨碍衬底处理机器人41的定位器部件44的移动。[0069] 在一实施例中，衬底W是由衬底处理机器人41大体水平地移动。在一实施例中，当正在转移衬底W时，保持器43位于衬底W下方。在一实施例中，定位器部件44在z方向上的高度大于保持器43在z方向上的高度。在一实施例中，定位器部件44的顶部高于衬底W的表面46。在一实施例中，定位器部件44的顶部高于干燥站90的底部。如果干燥站90在定位器部件44的移动范围内，则干燥站90可潜在地妨碍所述定位器部件的移动。通过将干燥站90设置为在衬底卸载路径中定位于机器人卸载位置上游，干燥站90在定位器部件44的移动范围外部。干燥站90不妨碍衬底处理机器人41的定位器部件44的移动。[0070] 在一实施例中，干燥站90定位成邻近于机器人卸载位置。通过将干燥站90定位成邻近于机器人卸载位置，干燥站90可在不妨碍衬底处理机器人41的移动的情况下尽可能地接近于衬底台WT。可以预期本发明的实施例能够实现在不负面地影响生产率的情况下尽可能快地从衬底W的表面46移除液体。需要尽可能快地从衬底W去除液体，例如水。[0071] 在从载物台例如，衬底台WT卸载衬底W之后，且在不影响机器卿，光刻设备100的生产率的情况下，可以称为干燥器的干燥站90尽可能快地从衬底W移除液体。可以期望干燥站90定位成尽可能地接近于衬底W被卸载的位置。可以期望使衬底处理机器人41的移动在干燥站90的流体流下牵引所述衬底W的表面46ο通过尽可能快地移除液滴50，最小化抗蚀剂暴露至水液滴的曝露时间，从而缩减发生缺陷的风险。在一实施例中，干燥站90位于衬底处理装置其可被称为晶片处理器中。[0072] 干燥站90的形式可以是任何事物，只要其可行即可。图4及图5所描绘且上文所描述的两种类型是简单干燥站90的示例。[0073] 干燥站90与衬底处理装置相关联，这是因为使衬底台WT带有衬底处理装置例如，在衬底台WT处或上方将会负而地影响生产率。这是因为，在曝光工艺之后，在晶片载物台处将会需要额外时间以干燥衬底WT。相比于以其它方式，当正在干燥衬底W时，衬底W更缓慢地移动。如果干燥站90位于晶片载物台处例如，在液体限制结构IH处或衬底台WT处，则将会需要缓慢地从衬底台WT移除衬底W以便干燥衬底W。[0074] 通过将干燥站90设置为位于曝光后处理模块94中，可更快速地从衬底台WT移除衬底W。可针对下一曝光工艺而更快速地将后续衬底W装载至衬底台WT上。可以想到本发明的实施例实现光刻设备100的生产率的提高。[00"75]在一实施例中，曝光后处理模块94包括至少一个衬底处理装置传感器51。例如，衬底处理装置传感器51可以是衬底交换传感器其可被称为晶片交换传感器。至少一个衬底处理装置传感器51被配置成用以测量与衬底处理机器人41相关联的参数。例如，在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51被配置成用以测量衬底处理机器人41的保持器43相对于XY平面的倾斜。在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51定位于衬底卸载路径中。在一实施例中，当在曝光工艺之后正在从衬底台WT转移衬底W时，至少一个衬底处理装置传感器51执行测量。[0076] 在一实施例中，干燥站90定位于至少一个衬底处理装置传感器51附近。在一实施例中，干燥站90位于衬底交换传感器中附近。在一实施例中，干燥站90位置邻近至少一个衬底处理装置传感器51。在一实施例中，至少一个衬底处理装置传感器51附接至传感器框架SF。传感器框架SF定位于衬底卸载路径中。在一实施例中，干燥站90位于机器人卸载位置与传感器框架SF之间。在一实施例中，干燥站90固定至传感器框架SF。通过将干燥站90固定至传感器框架SF，最小化由干燥站90占据的空间。[0077] 在一实施例中，干燥站90位于至少一个衬底处理装置传感器51与光刻设备100的基座框架BF之间。在一实施例中，基座框架BF包括空气管道。在一实施例中，干燥站90位于空气管道与至少一个衬底处理装置传感器51之间。[0078] 在一实施例中，干燥站90的宽度大于衬底W的宽度。举例而言，当衬底W的宽度是约300毫米时，干燥站90可具有大于约300毫米的宽度，例如，320毫米。当衬底W的宽度是约450毫米时，干燥站90可具有大于约450毫米的宽度。干燥站90可从衬底W的整个表面46主动地移除液体。当衬底W在干燥站90下方通过时，干燥站90从衬底W的表面46主动地移除液体。[0079] 在一实施例中，干燥站90具有宽度、长度及高度。在一实施例中，干燥站90是延长的，使得宽度大于长度或高度。在一实施例中，宽度大于约300毫米，或大于约450毫米。例如，在一实施例中，干燥站90的宽度是约320毫米。在一实施例中，长度小于约50毫米，例如，约20毫米。在一实施例中，高度小于约50毫米，例如，约30毫米。[0080] 在一实施例中，光刻设备100包括与曝光后处理模块94通过界面连接的曝光模块95ο衬底台WT位于曝光模块95中。液体限制结构IH位于曝光模块95中。在一实施例中，干燥站90定位于曝光模块95与曝光后处理模块94之间的界面附近或之中。[0081] 干燥站90不位于曝光模块95中，使得不浪费时间在曝光模块95中干燥衬底W。可以预期本发明的实施例实现通过曝光模块95而增加衬底W的生产率。[0082] 干燥站90定位在曝光模块95与曝光后处理模块94之间的界面附近，使得干燥站90定位成尽可能地接近于衬底台W。通过将干燥站90尽可能地接近于衬底台W，最小化液滴50残留于衬底W的表面46上的时间。[0083] 可选择干燥站90在曝光后处理模块94内的位置，以便最小化与光刻设备100的其它部件的空间冲突。在一实施例中，干燥站90与介于曝光模块95与曝光后处理模块94之间的界面隔开。[0084] 在一实施例中，干燥站90包括干燥站致动器45图6所描绘。干燥站致动器45被配置成使干燥站90相对于光刻设备100的静止部件上下移动。例如，在一实施例中，衬底处理装置传感器51在光刻设备100的使用期间静止。干燥站致动器45被配置成使干燥站90相对于衬底处理装置传感器51上下移动。在一实施例中，干燥站致动器45被配置成用以相对于衬底W而上下移动干燥站90。干燥站致动器45被配置成用以在干燥位置与非干燥位置之间移动干燥站90。在干燥位置中，干燥站90从衬底W的表面46主动地移除液体。[0085] 通过提供干燥站致动器45，干燥站90可具有干燥位置，即使衬底处理机器人41移动通过干燥位置，该干燥位置仍将会干涉衬底处理机器人41的移动。如上文所提及，在一实施例中，衬底处理机器人41的定位器部件44不会到达干燥站90，使得干燥站90在定位器部件44的移动范围外部。因此，干燥站90不妨碍衬底处理机器人41的定位器部件44的移动。然而，通过提供干燥站致动器45，即使衬底处理机器人41在X-Y平面中到达干燥站90，干燥站90并不妨碍衬底处理机器人41的定位器部件44的移动。在非干燥位置中，干燥站90不干涉衬底处理机器人41的移动，因为干燥站90及衬底处理机器人41在ζ方向上具有不同位置。在衬底处理机器人41在X-Y平面中到达干燥站90的实施例中，当衬底处理机器人41的定位器部件44通过干燥站90时，干燥站90位于非干燥位置中。在定位器部件44已通过干燥站90之后，干燥站致动器45可将干燥站90移动至干燥位置。当衬底W通过干燥站90时，干燥站90位于干燥位置中。[0086] 在一实施例中，转移衬底W的方法包括使干燥站90在干燥位置与非干燥位置之间上下相对于光刻设备100的静止部件移动，在干燥位置中，干燥站90从衬底W的表面46主动地移除液体。[0087] 在一实施例中，衬底处理机器人41被配置成当衬底W通过干燥站90时减少衬底W通过衬底卸载路径的速度。尽管减小速度可减低产出率，但可从衬底W的表面46移除较高比例的液体。在一实施例中，当衬底W通过干燥站90时，通过衬底卸载路径以减少的速度转移衬底W。例如，当衬底W通过干燥站90时，衬底处理机器人41可以约1ms—1的速度转移衬底W。通过减小速度，当衬底W通过干燥站90时，可从衬底W的表面46移除较高比例的液体。[0088] 在干燥位置中，干燥站90与在下方通过的衬底W之间的距离期望尽可能地小。在一实施例中，该距离小于约10毫米，且较佳地，小于约5毫米。在一实施例中，该距离小于约I毫米，例如，约0.3毫米。[0089] 在一实施例中，干燥站90定位于至少一个衬底处理装置传感器51附近。干燥站90的位置在衬底处理装置传感器51所处的区域内。在一实施例中，干燥站90连接至光刻设备100的固定部件。例如，在一实施例中，干燥站100连接至图1所描绘的基座框架BF。[0090] 在一实施例中，干燥站90在光刻设备100内具有固定位置。在此实施例中，干燥站90在光刻设备100的使用期间或在干燥站90的使用期间不移动。在光刻设备100的使用中，衬底处理机器人41在干燥站90下从衬底台WT转移衬底W，使得干燥站90从衬底W的表面主动地移除液体。干燥站90具有空气静压轴承以在衬底W与干燥站90之间产生经界定的距离。随着衬底W在干燥站90下移动，从衬底W的表面主动地移除液体。[0091] 在一实施例中，干燥站90在衬底传感器所处的区域中，且干燥站90是通过干燥站致动器45在竖直方向上致动。上文关于图6而描述了干燥站致动器45。衬底传感器被配置成用以测量与衬底W相关联的参数例如，高度。衬底处理装置传感器51可用作衬底传感器。替代地，衬底传感器可以是与衬底处理装置传感器51分离的传感器。衬底传感器定位于衬底台WT与干燥站90之间。在从衬底台WT卸载衬底W之后，在衬底W通过干燥站90之前衬底W通过衬底传感器。在一实施例中，衬底传感器被配置成用以测量衬底W的高度。在一实施例中，基于由衬底传感器进行的高度测量由干燥站致动器45致动所述干燥站90。在一实施例中，基于由衬底传感器作出的高度测量控制干燥站致动器45ο干燥站90具有空气静压轴承以在衬底W与干燥站90之间产生经限定的距离。尽管干燥站90是在竖直方向上致动，但是干燥站90在水平方向上静止。当衬底W在干燥站90下方移动，从衬底W主动地移除液体。[0092] 在一实施例中，衬底处理机器人41的保持器43具有用于增加衬底W的平坦度的形状。保持器43提供克服衬底W的不平度的机械支撑。例如，在一实施例中，保持器43包括支柱140的网状结构，支柱140在水平方向上延伸，以便在衬底W的平面中更广阔地提供用于衬底的机械支撑。图14中示出支柱。[0093]图7不意性地描绘根据一实施例的光刻设备100。如图7所不，在一实施例中，光刻设备100包括浸没后冲洗模块96。浸没后冲洗模块96与曝光后处理模块94通过界面连接。浸没后冲洗模块96包括浸没后冲洗站未示出。在浸没后冲洗模块96中，例如，在浸没后冲洗站处，可从衬底W的表面移除不想要的水印。不期望的水印可损害印刷于衬底W上的结构。因此，水印可不希望地影响产品良率。不希望的水印可由诸如在曝光工艺之后残留于衬底W的表面上的浸没液的液体造成。[0094]图8描绘根据一实施例的光刻设备100。如图8所描绘，在一实施例中，曝光后处理模块94包括储存单元110。储存单元110被配置成用以储存多个衬底W。储存单元110包括多个衬底容纳单元。衬底W可储存于储存单元110的相应的衬底容纳单元中。[0095]图9示意性地描绘根据一实施例的光刻设备100的储存单元110。如图9所描绘，在一实施例中，储存单元110包括上部封闭衬底容纳单元111作为所述衬底容纳单元之一。上部封闭衬底容纳单元111被配置成用以储存或容纳一种封闭衬底。在一实施例中，储存单元110包括下部封闭衬底容纳单元112作为所述衬底容纳单元之一。下部封闭衬底容纳单元112被配置成用以储存或容纳封闭衬底。在一实施例中，储存单元110包括零个、一个或两个以上衬底容纳单元以用于储存封闭衬底。[0096] 封闭衬底可用以在不同衬底W的曝光工艺之间的时间段期间以稳定所述光刻设备100的部件的温度。例如，可在曝光工艺中曝光一批次的衬底W。在曝光后续批次的衬底W之前，封闭衬底可定位于衬底台WT上以用于温度稳定化。例如，封闭衬底可有助于稳定所述衬底台WT的温度。在一实施例中，可将衬底W从浸没后冲洗模块96装载至底部容纳单元114内。[0097]如图9所描绘，在一实施例中，储存单元110包括排出单元113作为所述衬底容纳单元之一。排出单元113被配置成用以在衬底W已经在曝光工艺中曝光之后容纳衬底W。在一实施例中，衬底处理机器人41被配置成用以将经曝光衬底W从衬底台WT输送至排出单元113。在一实施例中，随后将经曝光衬底W从排出单元113输送至浸没后冲洗模块96。[0098]如图9所描绘，在一实施例中，储存单元110包括底部容纳单元114作为所述衬底容纳单元之一。在一实施例中，底部容纳单元114被配置成用以储存或容纳衬底W。[0099] 如图10所描绘，在一实施例中，干燥站90定位于储存单元110中。在一实施例中，干燥站90定位于排出单元113的区域中。干燥站90可定位于储存单元110的其它部件中。例如，干燥站90可定位于底部容纳单元114中。替代地，干燥站90可定位于用于储存单元110的排出单元113的进入退出点处或附近。[0100]图9及图10示出衬底容纳单元的特定布置。然而，储存单元110以衬底容纳单元的不同布置而出现。例如，在一实施例中，排出单元113可经被布置为位于储存单元110的顶部处。因此，干燥站90可定位于储存单元110的顶部处。[0101]图11示意性地描绘根据一实施例的光刻设备100的部件的平面图。图11描绘经历干燥工艺的衬底W。如图11所描绘，在一实施例中，干燥站90是伸长的且采取干燥站臂的形式。干燥站90被配置成用以从衬底W的表面主动地移除液体。例如，干燥站90可包括气刀91或连续液体流。[0102]如图11所描绘，在一实施例中，呈干燥站臂的形式的干燥站90被配置成用以围绕枢轴点97旋转。在一实施例中，干燥站90包括被配置成使呈干燥站臂的形式的干燥站90旋转通过与衬底W的表面平行的旋转平面的旋转器未示出。当干燥站90未使用时，可使干燥站90旋转，从而使得其缩回至其未定位于排出单元113中的任何衬底W上方的位置。当将要使用干燥站90时，使呈干燥站臂的形式的干燥站90围绕枢轴点97而旋转。[0103]例如，在一实施例中，控制所述干燥站90的旋转，使得干燥站90的部分定位于衬底W的中间或中心点上方。当无需干燥站90时，可使干燥站90缩回，使得当正在将衬底W转移至排出单元113内时，干燥站90不阻碍诸如衬底W的其它部件。随后，当衬底W位于排出单元113中的适当位置时，将干燥站90旋转至干燥站90可从衬底W的表面主动地移除液体的部位中。[0104]如图11所描绘，在一实施例中，排出单元113包括衬底转台120。衬底转台120被配置成使衬底W旋转。利用干燥站90的旋转、利用衬底W的旋转、或利用干燥站90的旋转与衬底W的旋转的组合，而使衬底W相对于干燥站90移动。[0105] 如图11所描绘，在一实施例中，呈干燥站臂的形式的干燥站90遍及衬底转台120的半径而延伸。干燥站90在使用中不跨越衬底W的整个直径而延伸。取代地，干燥站90具有恰好大于衬底W的半径的长度。当衬底W在衬底转台120上旋转时，干燥站90可从衬底W的表面主动地移除液体。[0106] 在一实施例中，干燥站90与支撑所述衬底W的衬底支撑部件整体地移动。例如，图11中所示出的干燥站臂可与衬底支撑部件整体地形成。在此实施例中，衬底支撑部件可形成衬底转台120的部分。图11所描绘的衬底转台120的多个部件形成用于夹紧衬底W且使衬底W旋转的旋转装置。[0107]替代地，衬底W可由在衬底W下方的板和或支撑杆支撑。在此实施例中，板和或支撑杆可形成衬底转台120的部件或部分。预期此实施例实现比以上段落中描述的干燥站简化的干燥站90，这是因为干燥站90独立于支撑衬底W的板及支撑杆。[0108] 在一实施例中，干燥站90不在平行于衬底W的平面中旋转。在一实施例中，干燥站90在光刻设备100的使用期间固定于适当位置。在此实施例中，可不提供枢轴点97。在此实施例中，利用衬底W在干燥站90下方的旋转从衬底W的表面移除液体。预期这样的实施例实现用于干燥站90的更简单构造，这是因为无需使干燥站90旋转。[0109]图12描绘根据一实施例的光刻设备100的部分。如图12所描绘，在一实施例中，排出单元113不具备衬底转台120。取代地，在排出单元113内，衬底W可大体上静止。代替使衬底W旋转，干燥站90被配置成用以遍及衬底W而移动。干燥站90被配置成在衬底W上方水平地平移。随着干燥站90跨越且在衬底W上方移动，从衬底W的表面主动地移除液体。[0110] 在图12中，双端箭头示出配置干燥站90移动的方向。所述方向并不受到特定地限制。移动方向是水平的。作为一实例，在一实施例中，干燥站90的移动方向是水平的，且垂直于衬底W进入排出单元113的水平方向。在一替代实施例中，干燥站90的移动方向是水平的且平行于衬底W进入排出单元113的水平方向。[0111]图13示意性地描绘根据一实施例的光刻设备100的部分。如图13所描绘，在一实施例中，干燥站90采取可围绕枢轴点97旋转的干燥站臂的形式。如图13所描绘，在一实施例中，干燥站90是延长的，使得其比衬底W的直径更长。预期这样的实施例实现用于储存单元110的更简单构造。特别地，不必使排出单元113或容纳干燥站90的其它单元具有衬底转台120。[0112] 在图13所描绘的构造中，衬底W可在排出单元113内基本上静止。当将使用干燥站90时，可使干燥站90遍及衬底W的全表面而旋转。例如，在一实施例中，可使干燥站90遍及对向至少90°的弧而围绕枢轴点97旋转。[0113]图15及图16中的每一个描绘根据本发明的实施例的干燥站92。图15及图16所示出的干燥站90的特征可应用于干燥站90包括流动供应开口92及流动抽取开口93的上文所描述的任何实施例。[0114]如图15所描绘，在一实施例中，干燥站90包括多个流动供应开口 92。流动供应开口92是伸长的，其具有隙缝形状。流动供应开口92的伸长方向相对于干燥站90的宽度方向及长度方向成斜角。图15所示出的小箭头表示从流动供应开口92至流动抽取开口93的流动方向。[0115] 如图15所示出，流动供应开口92可相对于干燥站的长度方向形成锐角α。因此，垂直于流动供应开口92的伸长方向的方向相对于干燥站90的长度方向形成角度α。在一实施例中，锐角α在从约40°至约80°的范围内。[0116] 如图15所描绘，在一实施例中，干燥站90包括多个流动抽取开口93。流动抽取开口93是伸长的，其具有隙缝形状。在一实施例中，流动抽取开口93的形状与流动供应开口92的形状大体上相同。如图15所描绘，在一实施例中，流动抽取开口93相对于干燥站90的长度方向及宽度方向形成斜角。[0117]如图15所描绘，在一实施例中，流动供应开口 92彼此大体上平行。在一实施例中，流动抽取开口93彼此大体上平行。在一实施例中，流动供应开口92大体上平行于流动抽取开口93。预期本发明的实施例实现使干燥站90相对于衬底W的表面46进行扫描所需要的时间的减少。[0118] 在一实施例中，流动供应开口92的宽度彼此重迭。这意思是，当沿长度方向其是图15所示出的干燥站的短侧看干燥站90时，流动供应开口92看起来彼此重迭。在一实施例中，流动抽取开口93类似地在干燥站90的宽度方向上彼此重迭。宽度方向是图15所示出的较长侧方向。在一实施例中，干燥站90被布置成使得当干燥站90以直线移动在干燥站90的长度方向上而相对于衬底W的表面46移动时，将衬底W的表面46的整个宽度曝露至流动供应开口92及流动抽取开口93。[0119] 在一实施例中，流动供应开口92与对应流动抽取开口93间隔开小于20毫米的距离。在一实施例中，流动供应开口92与对应流抽取开口93之间的空间小于约5毫米，且视情况大于约2毫米。预期本发明的实施例实现使干燥站90相对于衬底W的表面46进行扫描所需要的时间的缩短。衬底W可以用较高速度在干燥站90下通过，同时实现可接受的干燥性能。每个流动供应开口92可相对小，而同时实现将衬底W的表面46的整个宽度曝露至流动供应开口92的效果。[0120]图16描绘针对干燥站90的流动供应开口 92及流动抽取开口93的替代几何变形形式。如图16所描绘，在一实施例中，干燥站90包括多个流动供应开口92ο每一流动供应开口92包括实质上圆形的开口。在一实施例中，干燥站90包括多个流动抽取开口93，多个流动抽取开口93中的每个形成围绕对应流动供应开口92的环。例如，在一实施例中，每个流动抽取开口93具有围绕流动供应开口92的环形形状。预期本发明的实施例实现充分的干燥性能，同时减少由流动供应开口92所供应的流体到达光刻设备100的非预期区段的可能性。[0121] 替代地，在一实施例中，流动抽取开口93形成用于流动供应开口92的较小圆形开口以围绕对应流动抽取开口93。在一实施例中，流动供应开口92在对应流动抽取开口93外部。[0122] 如图16所描绘，在一实施例中，流动供应开口92与对应流动抽取开口93形成一对。在一实施例中，所述对流动供应开口92与对应流动抽取开口93被布置用以形成一行。如图16所描绘，在一实施例中，该对流动供应开口92与流动抽取开口93被布置成用以形成交错式列或列。在一实施例中，流动抽取开口或流动供应开口92被布置用以便在宽度方向上彼此重迭。当干燥站90相对于衬底W移动时，衬底W的表面46的整个宽度在流动供应开口92和或流抽取开093下方通过。[0123] 在一实施例中，流动供应开口92与对应流动抽取开口93间隔开小于20毫米的距离。在一实施例中，流动供应开口92与对应流动抽取开口93之间的空间小于约5毫米，且视情况大于约2毫米。[0124]除非另有叙述，否则上文所描述的本发明的实施例是与使用气体抑或液体以执行从衬底的表面的液体的主动移除的干燥站90兼容。举例而言，在图4所描绘的构造中，可修改气刀91，从而使得提供液体流代替气体。在此实施例中，由液体回收系统回收液体。[0125]可修改图5所描绘的构造，使得流动供应开口 92及流动抽取开口93在其间提供气体流代替液体。不管干燥站90的位置，可使用气体或液体以执行液体从衬底W的表面的主动移除。[0126] 在一实施例中，利用一种装置制造方法而制造一种装置，所述装置制造方法包括使用如上文所描述的光刻设备100。光刻设备100将图案从图案化装置MA转移至衬底W。在一实施例中，所述装置制造方法包括如上文所描述的转移衬底W的方法。[0127]尽管本发明中可特定地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本发明中所描述的光刻设备可具有其它应用，诸如，制造整合式光学系统、用于磁畴存储器的导引和检测图案、平板显示器、液晶显示器LCD、薄膜磁头等等。本领域普通技术人员应了解，在这些替代应用的情境中，可认为本发明中术语“晶片”或”管芯”的任何使用分别与更一般的术语”衬底”或”目标部分”同义。可在曝光之前或之后在例如涂覆迹线通常将抗蚀剂层施加至衬底且显影经曝光抗蚀剂的工具、量测工具和或检测工具中处理本发明中所提及的衬底。适用时，可将本发明中的披露内容应用于这些及其它衬底处理工具。另外，可将衬底处理一次以上，例如，以便产生多层1C，使得本文中所使用的术语衬底也可指已经包含多个经处理层的衬底。[0128] 本发明中所使用的术语”辐射”及”光束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线UV辐射例如，具有或是约365纳米、248纳米、193纳米、157纳米或126纳米的波长及极紫外线EUV辐射例如，具有在5纳米至20纳米的范围内的波长，以及粒子束储如，离子束或电子束。[0129]虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述预期是说明性而非限制性的。因此，对于本领域普通技术人员将显而易见，可在不脱离下文所阐明的权利要求的范畴的情况下对所描述的本发明进行修改。

权利要求：1.一种光刻设备，其包括:衬底台，所述衬底台被配置成用以支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底经由液体曝光至辐射光束以形成图案，曝光后处理模块，所述曝光后处理模块用于在曝光后处理所述衬底，所述曝光后处理模块包括储存单元，所述储存单元被配置成将多个衬底储存于所述储存单元的相应衬底容纳单元中；衬底处理机器人，所述衬底处理机器人配置成用以将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理模块内；以及干燥站，所述干燥站被配置成从所述衬底的表面主动地移除液体；其中所述干燥站定位于所述储存单元中。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述曝光后处理模块是衬底处理装置。3.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中所述衬底处理机器人包括定位器部件以及与所述定位器部件通过界面连接的保持器，其中所述保持器被配置成用以保持所述衬底，其中所述定位器部件被配置成在所述保持器将所述衬底保持于所述衬底台上的机器人卸载位置与所述保持器将所述衬底保持于所述曝光后处理模块中的机器人处理位置之间移动。4.根据权利要求1、2或3所述的光刻设备，其中所述曝光后处理模块包括配置成用以测量与所述衬底处理机器人相关联的参数的至少一个衬底处理装置传感器，其中所述至少一个衬底处理装置传感器定位于所述衬底卸载路径中。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光刻设备，其中所述干燥站具有以下形式:配置成用以从所述衬底的所述表面主动地移除液体的干燥站臂;和配置成用以使所述干燥站臂旋转通过与所述衬底的所述表面平行的旋转平面的旋转器。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光刻设备，还包括配置成用以使所述衬底旋转的衬底转台，其中所述干燥站具有干燥站臂的形式，所述干燥站臂延伸遍及所述衬底转台的半径，使得所述干燥站臂被配置成当所述衬底在所述衬底转台上旋转时从所述衬底的所述表面主动地移除液体。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻设备，其中所述干燥站定位于所述衬底从所述衬底台卸载的衬底卸载位置附近。8.根据权利要求1至7中任一项所述的光刻设备，其中所述干燥站包括干燥站致动器，所述干燥站致动器被配置成用以使所述干燥站在干燥位置与非干燥位置之间相对于所述衬底上下移动，在所述干燥位置中，所述干燥站从所述衬底的所述表面主动地移除液体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的光刻设备，其中所述干燥站包括气刀、水浴及连续液体流中的一个或更多个。10.一种在光刻设备中转移衬底的方法，所述方法包括:支撑衬底用于曝光过程，在所述曝光过程中将所述衬底经由液体曝光至辐射光束以形成图案；将所述衬底沿着衬底卸载路径转移至曝光后处理模块中以用于在曝光后处理所述衬底，所述曝光后处理模块包括储存单元，所述储存单元被配置成将多个衬底储存于所述储存单元的相应衬底容纳单元中；和从所述衬底的表面主动地移除液体；其中在所述储存单元中执行液体的主动的移除。11.根据权利要求10所述的转移衬底的方法，其中所述曝光后处理模块包括配置用以测量与所述衬底处理机器人相关联的参数的至少一个衬底处理装置传感器，其中所述至少一个衬底处理装置传感器定位于所述衬底卸载路径中。12.根据权利要求10或11所述的转移衬底的方法，其还包括使干燥站臂旋转通过与所述衬底的所述表面平行的旋转平面，以便从所述衬底的所述表面主动地移除液体。13.根据权利要求10、11或12所述的转移衬底的方法，其包括使所述衬底旋转，其中由干燥站臂执行液体的所述主动移除，所述干燥站臂延伸遍及衬底转台的半径，使得当所述衬底旋转时所述干燥站臂从所述衬底的所述表面主动地移除液体。14.根据权利要求10至13中任一项所述的转移衬底的方法，还包括使执行液体的主动地移除的干燥站在干燥位置与非干燥位置之间相对于所述衬底上下移动，在所述干燥位置中，所述干燥站从所述衬底的所述表面主动地移除液体。15.如权利要求1O至14中任一项的转移衬底的方法，其中使用气刀、水浴和连续液体流中的一个或更多个来执行液体的所述主动移除。

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