申请/专利权人：昆山国显光电有限公司

申请日：2018-05-14

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN108682669B

主分类号：H01L23/64(20060101)

分类号：H01L23/64(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/84(20060101);H01L27/06(20060101);H01L27/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.01.10#授权;2018.11.13#实质审查的生效;2018.10.19#公开

摘要：本申请涉及一种本申请提供的驱动基板的制备方法，包括S10，基于异形显示驱动区的所有第一储存电容的负载和正常显示驱动区的所有第二储存电容的负载的差值，得到第一介质层的第一厚度值；S20，提供基底，并在基底表面沉积第一金属层；S30，通过膜厚控制模型，控制成膜工艺参数，在第一金属层表面沉积第一介质层和第二介质层，以使第一介质层的厚度达到第一厚度值，以使第二介质层的厚度达到第二厚度值，第一厚度值小于第二厚度值。通过灵活控制第一介质层和第二介质层的厚度，因而使得所述显示屏异形显示区的显示亮度与所述显示屏正常显示区的显示的亮度趋相同。

主权项：1.一种驱动基板的制备方法，所述驱动基板10设置有位于异形显示驱动区100的第一储存电容111，所述第一储存电容111包括第一介质层112，以及设置于正常显示驱动区200的第二储存电容211，所述第二储存电容包括第二介质层212，所述第一介质层112和所述第二介质层212形成于同一层面，其特征在于，所述方法包括：S10，基于所述异形显示驱动区100的第一信号线的电容负载和所述正常显示驱动区200的第二信号线的电容负载的差值，得到所述第一介质层112的第一厚度值；S20，提供基底，并在所述基底400表面沉积第一金属层113；S30，通过膜厚控制模型，控制成膜工艺参数，在所述第一金属层113表面沉积所述第一介质层112和所述第二介质层212，以使所述第一介质层112的厚度达到所述第一厚度值，以使所述第二介质层212的厚度达到第二厚度值，所述第一厚度值小于所述第二厚度值。

全文数据：驱动基板的制备方法技术领域[0001]本申请涉及显示领域，特别是涉及一种驱动基板的制备方法。背景技术^、[0002]随着手机产业的不断发展，全面屏手机的屏体具有较大的屏占比、窄边框的优点，大大提高观者的视觉效果，受到人们广泛关注。一[0003]在全面屏的制作过程中，在屏体上通常由开槽等异形设计构成异形显示区。开槽处的像素数量少于正常显示区的像素的数量。因此异形显示区像素驱动信号的负载与正常显示区像素驱动信号的负载差异很大，从而造成像素扫描等驱动信号的队延迟不同，从而造成异形显示区与正常显示区的亮度不同，影响正常使用。发明内容[0004]基于此，有必要针对传统具有开槽设计的屏体显示不均匀的问题，提供一种驱动基板的制备方法。[0005]一种驱动基板的制备方法，所述驱动基板设置有位于异形显示驱动区的第一储存电容，所述第一储存电容包括第一介质层，以及设置于正常显示驱动区的第二储存电容，所述第二储存电容包括第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层形成于同一层面，所述方法包括：[0006]S10,基于所述异形显示驱动区的第一信号线的电容负载和所述正常显示驱动区的第二信号线的电容负载的差值，得到所述第一介质层的第一厚度值；[0007]S20，提供基底，并在所述基底表面沉积第一金属层；[0008]S30,通过膜厚控制模型，控制成膜工艺参数，在所述第一金属层表面沉积所述第一介质层和所述第二介质层，以使所述第一介质层的厚度达到所述第一厚度值，以使所述第二介质层的厚度达到第二厚度值，所述第一厚度值小于所述第二厚度值。[0009]前述驱动基板的制备方法中，所述膜厚控制模型包括介质气体流速与膜厚生长速度关系式，步骤S30包括：[0010]S31，在所述第一金属层表面同时沉积所述第一介质层和所述第二介质层；[0011]S32,控制介质气体依次通过第二介质层沉积位置和第一介质层沉积位置，所述介质气体经过所述第一介质层沉积位置时为第一气流速度值，所述介质气体经过所述第二介质层沉积位置时为第二气流速度值；[0012]S33，基于所述第一厚度值和所述第一气流速度值，通过所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，得到所述第一介质层的第一生长时间，以使所述第一介质层生长到所述第一厚度值;基于所述第二厚度值和所述第二气流速度值，通过所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，得到所述第二介质层的第二生长时间，以使所述第二介质层生长到所述第二厚度值。[0013]前述驱动基板的制备方法中，所述第二生长时间大于所述第一生长时间，当到达所述第一生长时间时，在所述第一介质层和所述第二介质层之间设置阻隔板以阻止所述第一介质层生长〇[0014]前述驱动基板的制备方法中，所述介质气体包括三甲硅烷基胺气体和氨气。[0015]前述驱动基板的制备方法中，所述膜厚控制模型包括温度与膜厚生长速度关系式，步骤S30包括：[0016]S310，在所述第一金属层表面同时沉积所述第一介质层和所述第二介质层；[0017]S32〇,设定所述第一介质层和所述第二介质层具有相同的第三生长时间，基于所述第三生长时间和所述第一厚度值和所述第二厚度值，得到所述第一介质层的第一生长速度值和所述第二介质层的第二生长速度值；[0018]S330,基于所述第一生长速度值和所述第二生长速度值，通过所述温度与膜厚生长速度关系式，确定所述第一介质层的第一生长温度，以使得所述第一介质层生长到所述第一厚度值;确定所述第二介质层的第二生长温度，以使所述第二介质层生长到所述第二厚度值。[0019]前述驱动基板的制备方法中，所述第一生长温度为5〇〇°C-60TC，所述第二生长温度为700-750°C。[0020]前述驱动基板的制备方法中，在步骤3〇之前，还包括清理所述第一金属层表面的步骤。[0021]前述驱动基板的制备方法中，在所述步骤S30之后，还包括：[0022]S41，对所述第一介质层和所述第二介质层图形化处理；[0023]S42，在所述第一介质层和所述第二介质层表面形成第二金属层。[0024]前述驱动基板的制备方法中，所述第一介质层和所述第二介质层的材料为氧化硅或氮化硅。[0025]前述驱动基板的制备方法中，所述第一厚度值为50_130nm，所述第二厚度值为140-200nm〇[0026]本申请提供的驱动基板的制备方法，通过过膜厚控制模型改变工艺参数，以灵活控制所述第一介质层和所述第二介质层的厚度，通过使所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度可以增加所述第一储存电容的电容负载。进而增加所述第一信号线的电容负载。通过增加所述第一信号线的电容负载可以以使得所述第一信号线的电容负载和所述第二信号线的电容负载趋于相同。因而使得所述显示屏异形显示区的显示亮度与所述显示屏正常显示区的显示的亮度趋相同。附图说明[0027]图1为本申请实施例提供的驱动基板的制备方法流程图；[0028]图2为本申请实施例提供的驱动基板截面图；[0029]图3为本申请实施例提供的反应室示意图。[0030]附图标记说明：[0031]驱动基板10[0032]异形显示驱动区100[0033]正常显示驱动区200[0034]第一驱动电路单元110[0035]第一储存电容111[0036]第一介质层112[0037]第一金属层113[0038]第二金属层114[0039]第一介质层沉积位置115[0040]第二介质层沉积位置116[0041]第二电路驱动单元210[0042]第二储存电容211[0043]第二介质层212[0044]薄膜晶体管开关300[0045]基底400[0046]反应室600[0047]阻隔板610具体实施方式[0048]为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。[0049]请参见图1和图2,本申请实施例提供一种驱动基板的制备方法。所述驱动基板10包括基底400,以及在所述基底400表面间相邻设置的异形显示驱动区1〇〇和正常显示驱动区200。所述异形显示驱动区100包括多个间隔设置的第一驱动电路单元11〇。所述第一驱动电路单元110包括第一储存电容111。所述第一储存电容111包括第一介质层112。所述正常显示驱动区200包括多个间隔设置的第二电路驱动单元210。所述第二电路驱动单元210包括第二储存电容211。所述第二储存电容211包括第二介质层212。所述第一介质层112和所述第二介质层212形成于同一层面。[0050]在所述异形显示驱动区100中，可以设置有多个第一信号线。每个所述第一信号线可以电连接多个所述第一驱动电路单元110。所述驱动基板10还可以包括多个正常显示驱动区200。所述正常显示驱动区200中可以设置有多个第二信号线。每个所述第二信号线可以连接多个所述第二电路驱动单元210。由于所述正常显示驱动区的形状规则，因此所述第二信号线连接的所述第二电路驱动单元210的数量相同。而在所述异形显示驱动区中，由于存在开槽等结构，每个所述第一信号线连接的所述第一驱动电路单元11〇的数量会少于所述第二信号线连接的所述第二电路驱动单元210的数量。因此每个所述第一信号线的电容负载与每个所述第二信号线的电容负载并不相同。由于所述第一信号线用于驱动显示屏异形显示区的像素的显示，而所述第二信号线用于驱动显示屏正常显^区的像素的显示。因此所述显示屏异形显示区的显示亮度与所述显示屏正常显示区的显示的亮度出现差异。[0051]所述驱动基板的制备方法包括：[0052]S10,基于所述异形显示驱动区100的第一信号线的电容负载和所述正常显示驱动区200的第二信号线的电容负载的差值，得到所述第一介质层II2的第一厚度值；[0053]S20，提供基底400，并在所述基底400表面沉积第一金属层113;[0054]S30,通过膜厚控制模型，控制成膜工艺参数，在所述第一金属层I13表面沉积所述第一介质层112和所述第二介质层212,以使所述第一介质层112的厚度达到所述第一厚度值，以使所述第二介质层212的厚度达到第二厚度值，所述第一厚度值小于所述第二厚度值。[0055]在步骤S10中，所述第一信号线的电容负载可以为所述第一信号线连接的所有的第一驱动电路单元110中的所有的第一储存电容111的电容负载总和。所述第二信号线的电容负载可以为所述第二电路驱动单元21〇中的所有第二储存电容211的电容负载的总和。通过增加每个所述第一储存电容111的电容负载，可以增加所述第一信号线的电容负载。基于所述第一信号线的电容负载和所述第二信号线的电容负载可以计算每个所述第一驱动电路单元110需要增加的补偿电容值。[0056]电容计算公式C=eS4Jikd。其中，e是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。可知通过减少所述第一储存电容111的第一介质层H2厚度可以增加所述第一储存电容111的电容负载。基于将所述补偿容值，通过所述电容计算公式可以得到所述第一厚度值。[0057]在步骤S20中，所述第一金属层113可以为透明金属氧化物半导体材料。所述透明金属氧化物半导体材料可以为铟镓锌氧化物等。利用光刻制程对所述第一金属层113进行图形化处理后，可以得到所述第一储存电容m和所述第二储存电容211的电容电极。[0058]在步骤S30中，所述膜厚控制模型可以包括介质气体流速与膜厚生长速度关系模型、温度与膜厚生长速度关系模型、压强与膜厚生长速度关系模型等。所述膜厚控制模型可以根据经验值获得，也可以通过模拟计算获得。在一个实施例中，所述膜厚控制模型可以适用于CVD设备。所述成膜工艺参数可以包括压强、温度、介质气体流速等。通过所述膜厚控制模型可以控制CVD设备中的压强、介质气体流速、温度等工艺条件，进而控制所述第二介质层212的厚度达到第二厚度值，所述第一厚度值小于所述第二厚度值。[0059]在一个实施例中，现有技术中所述第一储存电容111的电容负载值与所述第二储存电容211的结构相同。即所述第一介质层112和所述第二介质层212的厚度相同，所述第一介质层112和所述第二介质层212的厚度可以均为^。即所述第二厚度值也为压。在一个实施例中，所述第一信号线的电容负载值为N。所述第一信号线连接的所述第一储存电容111的数量为X。所述第二信号线的电容负载值为M，M大于N。所述第二信号线连接的所述第二储存电容211的数量为Yd大于X。因此每个所述第一驱动电路单元110中的所述第一储存电容111需要增加的补偿电容值Q=M-NX。由Q=eS4Jikd可以算出每个所述第一介质层112需要减少的厚度d。因此可以得到需要的所述第一厚度值出=-1。[0060]本申请提供的驱动基板10的制备方法，包括S10，基于所述异形显示驱动区100的电容负载和所述正常显示驱动区200的电容负载的差值，得到所述第一介质层112的第一厚度值;S20,提供基底400,并在所述基底400表面沉积第一金属层113;S30,通过膜厚控制模型，控制工艺参数，在所述第一金属层II3表面沉积所述第一介质层112和所述第二介质层212,以使所述第一介质层112的厚度达到所述第一厚度值，以使所述第二介质层212的厚度达到第二厚度值。通过膜厚控制模型改变工艺参数，以灵活控制所述第一介质层II2厚度。通过使所述第一介质层U2的厚度小于所述第二介质层212的厚度可以增加所述第一储存电容的电容负载。进而增加所述第一信号线的电容负载，以使得所述第一信号线的电容负载和所述第二信号线的电容负载趋于相同。因而使得所述显示屏异形显示区的显示亮度与所述显示屏正常显示区的显示的亮度趋相同。[0061]在一个实施例中，所述膜厚控制模型包括介质气体流速与膜厚生长速度关系模型。所述介质气体流速与膜厚生长速度关系模型包括介质气体流速与膜厚生长速度关系式，步骤S30包括：[0062]S31，在所述第一金属层113表面同时沉积所述第一介质层II2和所述第二介质层212；[0063]S32,控制介质气体依次通过所述第二介质层212和所述第一介质层112,所述介质气体经过所述第一介质层112时为第一气流速度值，所述介质气体经过所述第二介质层212时为第二气流速度值；[0064]S33，基于所述第一厚度值和所述第一气流速度值，通过所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，得到所述第一介质层U2的第一生长时间，以使所述第一介质层112生长到所述第一厚度值;基于所述第二厚度值和所述第二气流速度值，通过所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，得到所述第二介质层212的第二生长时间，以使所述第二介质层212生长到所述第二厚度值。[0065]在步骤S31中，在一个实施例中，可以通过化学气相沉积方法，在所述第一金属层113表面同时沉积所述第一介质层112和所述第二介质层212。即所述第一介质层112和所述第二介质层212可以在同一个工序中制作。[0066]在步骤S32中，在一个实施例中，可以使得所述第一金属层113设置于一水平面。控制所述介质气体流速为单一工艺变数，反应室6〇〇内的温度、压强等工艺条件相同。使得所述介质气体依次通过所述第二介质层沉积位置116和所述第一介质层沉积位置115。由于重力以及气流扩散作用，所述第二介质层沉积位置H6的沉积速度大于所述第一介质层沉积位置115的沉积的速度。因此所述第二介质层212的膜厚生长速度大于所述第一介质层112的膜厚生长速度。所述介质气体流速与膜厚生长速度关系模型反应了介质气体流速与膜厚生长速度的对应关系。[0067]在一个实施例中，在反应室600的体积可以为25L时，所述介质气体可以为三甲硅烷基胺气体和氨气，所述三甲硅烷基胺气体和氨气的流量比可以为5:1，所述三甲硅烷基胺气体和氨气混合气体可以以〇.2Lmin的速度通入所述反应室600，通过流量计测量，所述混合气体在所述第二介质层沉积位置116的所述第一气流速度值为0.15Lmin，在所述第一介质层沉积位置115的所述第二气流速度值为0.8Lmin。[0068]在步骤S33中，在一个实施例中，通过所述第一气流速度值为0•15Lmin和所述第二气流速度值〇.8Lmin，基于所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，可以得到所述第二介质层212的膜厚生长速度为0.5]11]18，所述第一介质层112的膜厚生长速度为0.3111118。在一个实施例中，所述第二厚度值为llOnm，所述第一厚度值为80nm。因此可以通过所述第一介质层112的膜厚生长速度0.3mnS和所述第一厚度值60nm可以得到所述第一生长时间为200s。通过所述第二厚度值llOrnn和所述第二介质层212的膜厚生长速度0.5nms，可以得到所述第二生长时间为220s。可以理解，介质气体流速与膜厚生长速度关系式可以通过实验获得。即可以先获得多个介质气体流速与膜厚生长速度一一对应的数据，再对所述数据进行非线性拟合，得到所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式。[0069]在上述实施例中，可以通过控制是介质气体的流向等工艺参数，使得所述第一介质层112的生长时间为200s，所述第二介质层212的生长时间为220s。[0070]参见图3,在一个实施例中，所述第二生长时间大于所述第一生长时间。当到达所述第一生长时间时，在所述第一介质层112和所述第二介质层212之间设置阻隔板610以阻止所述第一介质层112生长。由上述实施例可知，由于介质气体的流向为依次经过所述第二介质层沉积位置116和所述第一介质层沉积位置115。而所述第二生长时间长度大于所述第一生长时间的长度，因此所述第一介质层112的厚度首先达到所述第一厚度值。当所述第一介质层112的厚度到达所述第一厚度值后，在所述第一介质层112和所述第二介质层212之间设置阻隔板610,使得所述介质气体无法再次到达所述第一介质层112。所述第一介质层112就无法继续生长。所述第二介质层212可以继续生长。因而所述第二介质层212的厚度可以大于所述第一介质层112的厚度。从而可以增加所述第一扫描线的电容负载，使得所述第一扫描线的电容负载和所述第二扫描线的电容负载趋于相同。同样地可以理解，当第一生长时间大于第二生长时间时，达到第二生长时间后，可以通过设置阻隔板61〇以阻止所述第二介质层212生长。[0071]可以理解，所述阻隔板610可以设置在所述反应室600的中间。所述阻隔板610的动作可以通过自动化控制。上述实施例的生长材料的方式可以在一道工序中同时生长出厚度不同的所述第一介质层112和所述第二介质层212。只需在现有反应室600内设置有关阻隔板610即可，具有方便高效，节省成本的优点。[0072]在一个实施例中，所述介质气体包括三甲娃院基胺气体和氨气。所述介质气体还可以为氮气、水蒸气以及含有硅元素化合物的混合气体。[0073]在一个实施例中，所述膜厚控制模型包括温度与膜厚生长速度关系模型，所述温度与膜厚生长速度关系模型包括温度与膜厚生长速度关系式，所述膜厚控制模型步骤S30包括：[0074]S310,在所述第一金属层113表面同时沉积所述第一介质层112和所述第二介质层212；[0075]S320,设定所述第一介质层II2和所述第二介质层212具有相同的第三生长时间，基于所述第三生长时间和所述第一厚度值和所述第二厚度值，得到所述第一介质层112的第一生长速度值和所述第二介质层212的第二生长速度值；[0076]S330,基于所述第一生长速度值和所述第二生长速度值，通过所述温度与膜厚生长速度关系式，确定所述第一介质层II2的第一生长温度，以使得所述第一介质层112生长到所述第一厚度值;确定所述第二介质层212的第二生长温度，以使所述第二介质层212生长到所述第二厚度值。[0077]在步骤S320中，所述第三生长时间可以为250s，所述第一厚度值为80nm，所述第二厚度值可以为llOnm。因此所述第一生长速度值为〇.32nms，所述第二生长速度值为0•44nms〇[0078]在步骤S330中，在以温度作为单一变数的前提下，所述温度与膜厚生长速度关系模型中包括了生长速度值与温度值的对应关系，可以理解，所述温度与膜厚生长速度关系式可以通过实验获得。即可以先获得多个温度值与生长速度值一一对应的数据，再对所述数据进行非线性拟合，得到所述温度与膜厚生长速度关系式。因此可以确定到达所述第一生长速度值〇.32nms的温度为545°C，到达所述第二生长速度值0.44nms的温度为720°C。在一个实施例中，可以分别在所述第一介质层112和所述第二介质层212的下方设置加热炉，通过设定所述加热炉的温度可以控制所述第一介质层112和所述第二介质层212的生长温度。[0079]在一个实施例中，所述第一生长温度为500°C-600°C，所述第二生长温度为700-750°C。在所述第一生长温度为50TC_60TC、所述第二生长温度为700°C-75TC时，所述第一介质层112和所述第二介质层212的厚度生长均匀，水准厚度的差距不超过O.lnm。优选地，所述第一生长温度为545°C。所述第二生长温度为720°C。在该温度条件下，所述第一介质层112和所述第二介质层212生长的厚度控制效果最好，并且水平度最高。[0080]在一个实施例中，步骤30之前，还包括清理所述第一金属层113表面的步骤。在一个实施例中，主要清理的物质为在形成所述第一金属层113时留在所述第一金属层113表面的光阻液。[0081]在一个实施例中，在所述步骤S30之后，还包括：[0082]S41，对所述第一介质层112和所述第二介质层212图形化处理；[0083]S42,在所述第一介质层112和所述第二介质层212表面形成第二金属层114。[0084]在一个实施例中，可以通过光刻对所述第一介质层112和所述第二介质层212进行图形化处理。[0085]在一个实施例中，所述成第二金属层114可以为钼、钛或者钼钛合金等。所述第二介质层212可以通过物理沉积获得。[0086]在一个实施例中，所述第一介质层112和所述第二介质层212的材料为氧化硅或氮化硅。氧化硅或氮化硅材料具有良好的绝缘特性和较高的介电常数。[0087]在一个实施例中，所述第一厚度值为50-130nm，所述第二厚度值为140-200nm。通常而言，当所述第一厚度值为50-130nm，所述第二厚度值为140-200nm时，所述驱动基板10的异形显示驱动区100的所有第一储存电容111的电容负载和所述正常显示驱动区200的所有第二储存电容211的电容负载趋于相同。在该范围内，所述第一厚度值和所述第二厚度值可以根据所述驱动基板10的电路的具体走线和开槽的形状和大小计算得到。[0088]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。[0089]以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

权利要求：1.一种驱动基板的制备方法，所述驱动基板a〇设置有位于异形显示驱动区（loo的第一储存电容（in，所述第一储存电容（111包括第一介质层（112，以及设置于正常显示驱动区200的第二储存电容211，所述第二储存电容包括第二介质层212，所述第一介质层（112和所述第二介质层212形成于同一层面，其特征在于，所述方法包括：S10,基于所述异形显示驱动区（1〇〇的第一信号线的电容负载和所述正常显示驱动区200的第二信号线的电容负载的差值，得到所述第一介质层（112的第一厚度值；S20，提供基底，并在所述基底4〇〇表面沉积第一金属层113;S30,通过膜厚控制模型，控制成膜工艺参数，在所述第一金属层（113表面沉积所述第一介质层（112和所述第二介质层212，以使所述第一介质层（112的厚度达到所述第一厚度值，以使所述第二介质层21¾的厚度达到第二厚度值，所述第一厚度值小于所述第二厚度值。2.如权利要求1所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述膜厚控制模型包括介质气体流速与膜厚生长速度关系式，步骤S30包括：S31，在所述第一金属层（113表面同时沉积所述第一介质层（112和所述第二介质层212；532,控制介质气体依次通过第二介质层沉积位置（116和第一介质层沉积位置115，所述介质气体经过所述第一介质层沉积位置（115时为第一气流速度值，所述介质气体经过所述第二介质层沉积位置116时为第二气流速度值；533,基于所述第一厚度值和所述第一气流速度值，通过所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，得到所述第一介质层（11¾的第一生长时间，以使所述第一介质层（112生长到所述第一厚度值;基于所述第二厚度值和所述第二气流速度值，通过所述介质气体流速与膜厚生长速度关系式，得到所述第二介质层212的第二生长时间，以使所述第二介质层212生长到所述第二厚度值。3.如权利要求2所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第二生长时间大于所述第一生长时间，当到达所述第一生长时间时，在所述第一介质层（112和所述第二介质层212之间设置阻隔板610以阻止所述第一介质层生长。4.如权利要求3所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述介质气体包括三甲硅烷基胺气体和氨气。5.如权利要求1所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述膜厚控制模型包括温度与膜厚生长速度关系式，步骤S30包括：S310,在所述第一金属层（113表面同时沉积所述第一介质层（11¾和所述第二介质层212；S320,设定所述第一介质层（112和所述第二介质层212具有相同的第三生长时间，基于所述第三生长时间和所述第一厚度值和所述第二厚度值，得到所述第一介质层的第一生长速度值和所述第二介质层的第二生长速度值；S330,基于所述第一生长速度值和所述第二生长速度值，通过所述温度与膜厚生长速度关系式，确定所述第一介质层（112的第一生长温度，以使得所述第一介质层（112生长到所述第一厚度值；确定所述第二介质层（212的第二生长温度，以使所述第二介质层212生长到所述第二厚度值。6.如权利要求5所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第一生长温度为5〇〇°C-600°C，所述第二生长温度为700-750°C。7.如权利要求1所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，在步骤30之前，还包括清理所述第一金属层表面的步骤。8.如权利要求1所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30之后，还包括：S41，对所述第一介质层112和所述第二介质层212图形化处理；S42,在所述第一介质层112和所述第二介质层212表面形成第二金属层114。9.如权利要求1所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第一介质层（112和所述第二介质层21¾的材料为氧化硅或氮化硅。10.如权利要求1所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第一厚度值为50-130nm，所述第一厚度值为140_200nm。

百度查询： 昆山国显光电有限公司 驱动基板的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD