【发明授权】完美吸收体_香港中文大学(深圳)_201780000176.9 

申请/专利权人:香港中文大学(深圳)

申请日:2017-03-29

发明/设计人:张昭宇;韩谞;何克波

公开(公告)日:2020-01-10

代理机构:深圳中一专利商标事务所

公开(公告)号:CN107111011B

代理人:阳开亮

主分类号:G02B5/00(20060101)

地址:518000 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2001号

分类号:G02B5/00(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.01.10#授权;2017.09.22#实质审查的生效;2017.08.29#公开

摘要:一种完美吸收体,包括具有两相对表面的基材层以及自所述基材层一表面向外依次叠设的金属层、介质层,还包括叠设于所述介质层表面的金属纳米阵列;其中,所述金属纳米阵列为圆柱体阵列、3D螺旋阵列、棱柱阵列、正棱台阵列中的任一种。这种完美吸收体无偏振敏感缺陷,实现了对光谱太阳能的广谱吸收,且实现对0.5μm~1.8μm光谱的吸收达到90%及以上,极大的提高了对太阳能的利用率。

主权项:1.一种完美吸收体,其特征在于:包括具有两相对表面的基材层以及自所述基材层一表面向外依次叠设的金属层、介质层,还包括叠设于所述介质层表面的金属纳米阵列;其中,所述金属纳米阵列为圆柱体阵列、3D螺旋阵列中的任一种;所述金属层为钨层;所述介质层为二氧化硅层或氮化硅层;所述金属纳米阵列为钨金属阵列;所述金属层的厚度为200nm以上,所述介质层的厚度为60~80nm;所述金属纳米阵列的阵列周期为500nm,所述金属纳米阵列的高度为100~140nm;当所述金属纳米阵列为圆柱体阵列时,所述圆柱体的直径为280~320nm,所述圆柱体的高度为100~140nm;当所述金属纳米阵列为3D螺旋阵列时,所述3D螺旋阵列中,螺旋体的中径为250~350nm,直径为40~60nm,高度为100~140nm。

全文数据:

权利要求:

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