申请/专利权人:华东光电集成器件研究所
申请日:2019-10-10
公开(公告)日:2020-01-14
公开(公告)号:CN110687423A
主分类号:G01R31/26(20140101)
分类号:G01R31/26(20140101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.11.23#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.14#公开
摘要:本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法,包括以下步骤:a、选择EMCCD的待测像元,对待测像元施加电源与时钟信号,在无光条件下,测试得到像元输出Udark;在对应的光照条件下,逐级增加倍增电压,得到有光条件下的像元输出Vout;根据公式MRG=(Vout‑Udark)Udark计算倍增增益,公式中MRG为倍增增益;b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素,剔除缺陷像元;c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线;通过不断地施加倍增电极电压,记录倍增电压值与此时倍增增益计算值,描绘倍增增益曲线图,可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系,填补了国内外的空白。
主权项:1.一种EMCCD倍增增益测试方法,其特征在于,包括以下步骤:a、选择EMCCD的待测像元,对待测像元施加电源与时钟信号,在无光条件下,测试得到像元输出Udark;在对应的光照条件下,逐级增加倍增电压,得到有光条件下的像元输出Vout;根据公式MRG=(Vout-Udark)Udark计算倍增增益,公式中MRG为倍增增益;b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素,剔除缺陷像元;c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华东光电集成器件研究所 一种EMCCD倍增增益测试方法
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