申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2019-08-23
公开(公告)日:2020-02-07
公开(公告)号:CN110770903A
主分类号:H01L27/11524(20170101)
分类号:H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.01.29#授权;2020.03.03#实质审查的生效;2020.02.07#公开
摘要:本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括沿垂直于半导体器件的衬底的方向交替地堆叠并且在衬底上方形成堆叠体的栅极层和绝缘层。该半导体器件包括形成于堆叠体的阵列区中的沟道结构的阵列。此外,该半导体器件包括:由衬底上方的连接区中的堆叠体的第一区段形成的第一阶梯,以及由衬底上方的连接区中的堆叠体的第二区段形成的第二阶梯。此外,该半导体器件包括由堆叠体的第一区段形成并且设置在连接区中的第一阶梯和第二阶梯之间的虚设阶梯。
主权项:1.一种半导体器件,包括:沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向交替地堆叠并且在所述衬底上方形成堆叠体的栅极层和绝缘层;在所述堆叠体的阵列区中形成的沟道结构的阵列;由所述堆叠体在所述衬底上方的连接区中的第一区段形成的第一阶梯;由所述堆叠体在所述衬底上方的所述连接区中的第二区段形成的第二阶梯;以及由所述堆叠体的所述第一区段形成的并且设置在所述连接区中的所述第一阶梯和所述第二阶梯之间的虚设阶梯。
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