申请/专利权人:赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日:2018-11-22
公开(公告)日:2020-02-11
公开(公告)号:CN110777432A
主分类号:C30B29/40(20060101)
分类号:C30B29/40(20060101);C30B25/18(20060101);C30B25/08(20060101);H01L29/861(20060101);H01L29/872(20060101)
优先权:["20180730 JP 2018-142906"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.09.29#授权;2021.05.18#实质审查的生效;2020.02.11#公开
摘要:本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于,提高III族氮化物的晶体的品质,提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体,其是用InxAlyGa1‑x‑yN的组成式其中,0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1表示的晶体,晶体中的B、O和C的各浓度均低于1×1015atcm3。
主权项:1.一种氮化物晶体,其是用InxAlyGa1-x-yN的组成式表示的晶体,式中,0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1,所述晶体中的B、O和C的各浓度均低于1×1015atcm3。
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权利要求:
百度查询: 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 氮化物晶体
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