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【发明公布】用于处理半导体晶片的方法、控制系统和设备,以及半导体晶片_硅电子股份公司_201880041643.7 

申请/专利权人:硅电子股份公司

申请日:2018-06-04

公开(公告)日:2020-02-11

公开(公告)号:CN110785831A

主分类号:H01L21/02(20060101)

分类号:H01L21/02(20060101);C30B25/00(20060101);C30B29/00(20060101);C30B33/00(20060101)

优先权:["20170621 DE 102017210450.3"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要:本发明涉及一种处理半导体晶片600的方法,其中将半导体晶片600放置在涂覆装置300中的基座310上,然后在处理操作中进行处理,其中在处理操作的蚀刻步骤中使蚀刻气体通过涂覆装置300。本发明还涉及一种用于控制处理半导体晶片600的涂覆装置300的控制系统400,涉及一种用于处理半导体晶片600的具有涂覆装置300的设备500,其包括控制系统,以及半导体晶片600。所述方法的特征在于,半导体晶片600的已经通过CMP进行抛光操作的第一面FS,或者半导体晶片600的与所述第一面相对的第二面BS在处理操作之前被涂覆保护层601。

主权项:1.一种处理半导体晶片600的方法,其中将所述半导体晶片600放置在涂覆装置300中的基座310上,然后在处理操作中进行处理,其中,在所述处理操作中的蚀刻步骤中,使蚀刻气体通过所述涂覆装置300,其特征在于,所述半导体晶片600的已经通过CMP进行了抛光操作的第一面FS,或者所述半导体晶片600的与所述第一面相对的第二面BS,在所述处理操作之前被涂覆保护层601。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 硅电子股份公司 用于处理半导体晶片的方法、控制系统和设备,以及半导体晶片

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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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