申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-07-03

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110785866A

主分类号：H01L51/52(20060101)

分类号：H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权：["20170725 US 62/536,559"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.07.19#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：提供一种包封有机发光二极管OLED的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度。所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED。所述方法进一步包括：用第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度；以及在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层。

主权项：1.一种包封有机发光二极管OLED的方法，包括：在工艺腔室中产生第一等离子体，所述第一等离子体具有至少1011cm-3的电子密度，其中OLED器件定位在所述工艺腔室内，所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED；用所述第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm-3的电子密度，所述第二等离子体在所述第一等离子体之后产生；在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层，所述第三等离子体在所述缓冲层的沉积之后产生。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 改良的薄膜包封

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