申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2019-07-02

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110783184A

主分类号：H01L21/304(20060101)

分类号：H01L21/304(20060101)

优先权：["20180724 JP 2018-138460"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.26#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：提供晶片的分割方法，使光通信芯片的光波导与光纤无间隙地呈直线状连接。在光通信芯片C中，光波导8在包含割断面84的第二侧面83露出。因此，将与光波导8连接的连接器91粘接于割断面84。与改质层的剖面相比，割断面84具有较高的平滑性。因此，通过将连接器91粘接于光通信芯片C的割断面84，能够使连接器91紧贴而粘接于光通信芯片C。因此，能够使安装于连接器91的光纤93与光波导8实质上呈直线状连接。另外，能够抑制在光纤93与光波导8之间产生间隙。

主权项：1.一种晶片的分割方法，该晶片在正面的由分割预定线呈格子状划分的区域内形成有用于进行光数据通信的光通信器件，该光通信器件具有供光通过的直线状的光波导，该晶片的分割方法对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光光线，将使该激光光线会聚而得的聚光点定位于该晶片的内部，利用该聚光点来形成改质层，以该改质层为起点而沿着该分割预定线将该晶片分割成各个光通信芯片，其中，该分割预定线包含：第一分割预定线，其与该光波导的延伸方向平行；以及第二分割预定线，其与该光波导的延伸方向垂直，该晶片的分割方法具有如下的工序：带粘贴工序，在该晶片的整个背面上粘贴粘接带；保持工序，利用保持工作台的保持面隔着该粘接带对该晶片进行保持；第一改质层形成工序，沿着该第一分割预定线形成直线状的第一改质层；第二改质层形成工序，在该晶片的靠近背面的深度位置，沿着该第二分割预定线形成直线状的第二改质层；第三改质层形成工序，在该晶片的靠近正面的深度位置，沿着该第二分割预定线形成断续线状的第三改质层，该第三改质层未形成在与该光波导相关的部分；以及分割工序，对该第一改质层、该第二改质层以及该第三改质层赋予外力而以各改质层为起点对该晶片进行分割，从而获得光通信芯片，该光波导的端面在该光通信芯片的四个侧面中的一个面露出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的分割方法

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