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【发明公布】晶片的加工方法_株式会社迪思科_201910627461.4 

申请/专利权人:株式会社迪思科

申请日:2019-07-12

公开(公告)日:2020-02-11

公开(公告)号:CN110783250A

主分类号:H01L21/683(20060101)

分类号:H01L21/683(20060101);H01L21/78(20060101);B23D79/00(20060101);B23K26/70(20140101);B24B7/22(20060101)

优先权:["20180731 JP 2018-143321"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.07.20#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要:提供晶片的加工方法,在确保器件芯片的抗弯强度的同时,器件芯片的形状不会歪斜。该晶片的加工方法包含如下的工序:切削槽形成工序,沿着分割预定线对器件层进行切削而形成切削槽;改质层形成工序,从晶片的背面将对于半导体基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的半导体基板的内部而进行照射,沿着分割预定线连续地形成改质层;以及分割工序,对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化,并且使裂纹从形成于分割预定线的内部的改质层生长至正面侧而将晶片分割成各个器件芯片。

主权项:1.一种晶片的加工方法,将在半导体基板的正面上层叠有器件层的晶片分割成各个器件芯片,该晶片具有正面,在该晶片的正面上由交叉的多条分割预定线划分而在所述器件层上形成有多个器件,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:切削槽形成工序,将切削刀具定位于晶片的正面,对层叠于该分割预定线的该器件层进行切削而形成切削槽;改质层形成工序,从晶片的背面将对于该半导体基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与该分割预定线对应的该半导体基板的内部而进行照射,沿着该分割预定线连续地形成改质层;保护部件配设工序,在该改质层形成工序之前或之后,在晶片的正面上配设保护部件;以及分割工序,将该晶片的该保护部件侧保持于卡盘工作台上,对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化,并且使裂纹从形成于分割预定线的内部的改质层生长至正面侧,将晶片分割成各个器件芯片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社迪思科 晶片的加工方法

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