申请/专利权人:圆益IPS股份有限公司
申请日:2019-07-25
公开(公告)日:2020-02-11
公开(公告)号:CN110783227A
主分类号:H01L21/67(20060101)
分类号:H01L21/67(20060101)
优先权:["20180726 KR 10-2018-0086919"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.07.07#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开
摘要:本发明公开了改善隔热区域的隔热结构及吹扫结构以不影响晶舟区域的晶片工艺用垂直反应器,所述垂直反应器包括:内管,内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分,所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟,所述下部隔热区域用于隔热,并且在所述隔热区域形成有排气口;隔热芯体,垂直形成在所述隔热区域中平面状中央;隔热组件,形成有插入所述隔热芯体的垂直的中空,并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件;其中,流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间,并绕过所述隔热芯体,引导至所述内管的所述排气口。
主权项:1.一种晶片工艺用垂直反应器,包括:内管,内部空间由上部晶舟区域与下部隔热区域区分,所述上部晶舟区域配置有用于晶片工艺的晶舟,所述下部隔热区域用于隔热,并且在所述隔热区域形成有排气口;隔热芯体,垂直形成在所述隔热区域中平面状中央;隔热组件,形成有插入所述隔热芯体的垂直的中空,并且具有在所述隔热区域中上下间隔的多个隔热件;其中,流入所述隔热区域的吹扫气体经过间隔所述多个隔热件的排气空间,并绕过所述隔热芯体,引导至所述内管的所述排气口。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 圆益IPS股份有限公司 晶片工艺用垂直反应器
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