申请/专利权人：通用电气公司

申请日：2019-07-30

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110777353A

主分类号：C23C16/24(20060101)

分类号：C23C16/24(20060101);C23C16/42(20060101);C23C16/30(20060101)

优先权：["20180731 US 16/050,379"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.22#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：提供了形成涂层部件的方法，以及所得的涂层部件。该方法可以包括在基底的表面上形成硅基粘合涂层并在硅基粘合涂层上形成隔离涂层。硅基粘合涂层包括晶体硅的柱状晶粒。化学气相沉积CVD可用于在沉积温度和沉积压力下通过含硅前体的CVD来形成硅基粘合涂层，该沉积温度和沉积压力在硅基粘合涂层的沉积期间引起硅材料的结晶。含硅前体可以是硅烷、一氯甲硅烷、二氯甲硅烷和或三氯甲硅烷。

主权项：1.一种形成涂层部件的方法，其中，所述方法包括：在基底的表面上形成硅基粘合涂层，其中，所述硅基粘合涂层包括晶体硅的柱状晶粒；和在所述硅基粘合涂层上形成隔离涂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通用电气公司 具有柱状晶粒的硅粘合涂层及其形成方法

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