申请/专利权人：珠海格力电器股份有限公司

申请日：2019-09-23

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110783189A

主分类号：H01L21/308(20060101)

分类号：H01L21/308(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.07.18#发明专利申请公布后的驳回;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本发明涉及一种芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法，该芯片沟槽的制备方法包括：提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，所述侧墙形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。利用本发明的制备方法能够解决现有技术中利用光刻技术制备沟槽时由于曝光显影精度限制造成的无法减少沟槽尺寸的问题，达到减小沟槽尺寸的目的。

主权项：1.一种芯片沟槽的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，并形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海格力电器股份有限公司 芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法

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