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【发明公布】晶圆级系统封装方法及封装结构_中芯集成电路(宁波)有限公司_201911016401.5 

申请/专利权人:中芯集成电路(宁波)有限公司

申请日:2019-10-24

公开(公告)日:2020-02-11

公开(公告)号:CN110783327A

主分类号:H01L25/18(20060101)

分类号:H01L25/18(20060101);H01L23/31(20060101);H01L21/98(20060101);H01L23/485(20060101);H01L23/488(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2022.10.18#发明专利申请公布后的驳回;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要:一种晶圆级系统封装方法及封装结构,封装方法包括:提供第一器件晶圆,第一器件晶圆中形成有多个器件以及各器件周边的多个第一焊垫,第一焊垫与器件电连接;在第一器件晶圆上形成与第一焊垫电连接的第一导电凸块,第一导电凸块形成在第一焊垫上,或朝器件内部分布,形成有第一导电凸块的面为器件晶圆正面;提供芯片;在芯片上形成第二导电凸块;将芯片背面贴合于器件晶圆正面上,第一导电凸块顶面高于芯片正面;在器件晶圆正面上形成填充于芯片和第一导电凸块之间、且露出第一导电凸块和第二导电凸块的封装层;在封装层上形成互连结构,互连结构与第一导电凸块和第二导电凸块电连接。本发明实施例有利于提高封装结构的电连接性能和封装性能。

主权项:1.一种晶圆级系统封装方法,其特征在于,包括:提供第一器件晶圆,所述第一器件晶圆中形成有多个器件,以及各器件周边的多个第一焊垫,所述第一焊垫与所述器件电连接;在所述第一器件晶圆上形成与所述第一焊垫电连接的第一导电凸块,所述第一导电凸块形成在所述第一焊垫上,或朝所述器件内部分布,形成有所述第一导电凸块的面为器件晶圆正面;提供芯片;在所述芯片上形成第二导电凸块,形成有所述第二导电凸块的面为芯片正面,与所述芯片正面相背的面为芯片背面;将所述芯片背面贴合于所述器件晶圆正面上,所述第一导电凸块顶面高于所述芯片正面;在所述器件晶圆正面上形成封装层,所述封装层填充于所述芯片和所述第一导电凸块之间,且露出所述第一导电凸块和第二导电凸块;在所述封装层上形成互连结构,所述互连结构与所述第一导电凸块和所述第二导电凸块电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯集成电路(宁波)有限公司 晶圆级系统封装方法及封装结构

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