申请/专利权人:广东先导先进材料股份有限公司
申请日:2019-11-01
公开(公告)日:2020-02-11
公开(公告)号:CN110783178A
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.08.12#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开
摘要:本发明公开了一种半导体晶片及其加工方法。本发明选用硬质透明塑料基片作为支撑基片,通过UV胶将待抛光加工的半导体晶片与基片贴合,固化后再对半导体晶片进行抛光处理,有效解决了90‑140μm厚的半导体晶片的加工过程中容易碎片,成品率较低的问题。本发明可批量生产90‑140μm厚的半导体晶片,减小了外延芯片过程中去除背面衬底材料的厚度,缩短了去除衬底材料的时间,节约了生产成本。
主权项:1.一种半导体晶片的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:1在半导体晶片的一面均匀涂覆UV胶;2将晶片涂覆有UV胶的表面粘接到基片上,其中,所述基片的材质为硬质透明塑料;3将粘接有晶片的基片置于紫外光下进行固胶,固化时间为15-25s;4对晶片上与UV胶相对的表面进行抛光处理;5抛光后的晶片经室温溶胶,清洗后,得到厚度为90-140μm的单面抛光半导体晶片。
全文数据:
权利要求:
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